摘要：真空系统的应用在现代科研生产领域中起着越来越重要的作用 ,越来越被人们所重视。真空系统设计的好坏 ,直接影响着晶体生长设备的成功与否 ,而提高真空系统的密封性 ,降低真空系统的漏气率是提高真空性能的主要措施。本文简要阐述了提高真空系统的密封性和降低漏气率的一些措施 ,包括真空系统设计中的结构设计、密封形式的选择、密封材质的选用等 ,提出了一种新型的静密封结构 。

摘要：本文提出一个用PVT法生长S iC晶体的坩埚的新颖设计。分析了生长腔中有无锥形档板对腔内及籽晶温度场的影响;比较了档板取不同厚度时S iC粉源升华面和籽晶表面的温度分布。得出了在腔内增设档板后晶体生长面的温度更趋均匀的结论;获取了随着档板厚度的增加,腔内的轴向温度梯度随之增加,但同时晶体生长面的温度也会降低的设计原则。根据计算结果,选取档板厚度等于2mm为优化参数。

摘要：通过理论分析与计算机仿真方法对1 200 V 4H-碳化硅(SiC)结势垒肖特基(JBS)二极管进行了设计与研究,实现了1 200 V/2 A,1 200 V/5 A及1 200 V/30 A三种等级管芯的研制。鉴于非均匀场限环(FLR)保护效率存在对工艺偏差敏感的问题,所设计各电流等级的管芯均采用均匀FLR作为终端结构。经测试,所研制管芯在反偏压为1 200 V时,漏电流均不大于3μA,且1 200 V/2 A,1 200 V/5 A及1 200 V/30 A三种等级管芯的通态电阻分别为790mΩ,360 mΩ及59.3 mΩ。

摘要：采用有限元法,对热壁CVD法SiCGe合金生长炉中加热组件的感应加热和温度分布进行了研究。分析了感应线圈匝数和石墨衬托的厚度对磁矢势和温度分布的影响,获取了感应线圈数越多感应生成焦耳热越大且越均匀的结论,得出了随石墨厚度的增加升温速率而增加,相反轴向温度均匀性而变差的设计准则。模拟结果表明选取16匝线圈和10mm左右的石墨壁厚为优化的设计参数。

摘要：4H-SiC金属氧化物半导体场效应管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor,MOSFET)具有开关频率高、功率密度大、耐高温、抗辐照等优点,在军用和民用领域具有广阔的应用前景。针对漏源击穿电压1 200 V的设计目标,利用解析模型和数值仿真相结合的优化方法,通过分析元胞结构参数对器件电学特性的影响,确定4H-Si C MOSFET元胞的纵向与横向结构参数。仿真结果表明,优化设计的器件其特征导通电阻为4.75 m?·cm2,击穿电压为1 517 V,满足设计指标。