摘要：在现有的一台蒸发镀膜机基础上,设计加工了一个双热舟化学气相沉积系统.该系统具有真空度高、升温速度快、源和衬底温度可分别控制等优点,有利于化合物半导体纳米材料的生长.利用该生长系统,通过在生长过程中掺入等电子杂质In作为表面活性剂,分别在Si衬底和3CSiCSi衬底上生长出高质量的具有纤锌矿结构的单晶GaN纳米线和纳米尖三棱锥.所得产物通过场发射扫描电子显微镜、高分辨透射电子显微镜、能量色散x射线谱仪、x射线衍射仪,和荧光谱仪进行表征.这里所用的生长方法新颖,生长出的GaN纳米尖三棱锥在场发射和激光方面有潜在的应用价值.

摘要：从钙钛矿的结构特点出发,阐述其相关结构构筑的原理.着重讨论新型三方展状钙钛矿系列化合物(La_(n+1)Mn_nO_(3n+3)(Ca_2O)的设计思路.分析离子半径大小、氧化态和电荷平衡、离子的配位方式等因素对新物相形成的影响.介绍在La-A-Mn-O体系(A=碱土离子)中合成三方层状钙钛矿化合物的实验结果.所得n=1的物相La_2Ca_2MnO_7由三方钙钛矿单元层(La_2MnO_6)和类石墨结构单元层(Ca_2O)沿c轴方向交替排列而成.最后简要介绍三方层状钙钛矿化合物的磁性质.