摘要：介绍了一款应用于3GHz通信的基于改进增益平坦度的功率放大器设计,其由商用InGaP/GaAs异质结双极性晶体管(HBT)工艺制作.为了以简单方式改善增益平坦度,除了耦合旁路电容以及射频扼流圈外,在实际电路中没有加入额外部件.其测量线性增益为23dB,大信号增益平坦度为±0.25dB,非常贴近仿真和目标值.此两级功放400MHz带宽下的输出线性功率为31dBm,增益附加效率为44%.本电路通过良好的失真补偿电路和扼流圈模型的使用,成功地改善了增益平坦度.

摘要：研究了在砷化镓上欧姆接触形成机理,并提出了一种新型的欧姆接触六层金属系统(Ni/Ge/Au/Ge/Ni/Au)。在n型GaAs样品上实验了在380～460℃合金温度和50～120s合金时间下形成欧姆接触,在400℃、60s下典型的欧姆接触值为2.1x10-7Ω·cm2,同时合金后表面形貌光滑、平整。

摘要：基于中国科学院微电子研究所的GaAspin二极管工艺,设计、制作并测试了一种单片单刀双掷开关.在8～20GHz频段内,开关正向导通时的插入损耗最小值为1.5dB,输入和输出端的回波损耗大于10dB;开关关断状态的隔离度最大值为32dB.开关的支路采用串联-并联-并联的结构,其中的GaAs pin二极管基区厚为2.5μm.在1.3V的偏置电压下,正向导通的串联二极管工作电流为7mA.

摘要：基于Matlab-Simulink构建一个完整的自动增益控制环路(AGC)模型,并对模型进行了验证。该模型可从时间和功率幅度两个方面分析AGC控制过程,能够很好地显示和预测环路特性,从而可便捷地评估AGC环路是否满足系统的需求。在该模型的辅助下,以可变增益放大器、检波器、数/模转换器、模/数转换器与现场可编程门阵列为核心器件,实现了一种输入动态范围为-72～-12 dBm,输出动态范围为-19.7～-19.2 dBm际测试输出功率误差在1.3 dB以内,控制时间过程吻合,表明AGC环路的仿真和实测情况基本一致。

摘要：在跳频通信中,锁相环频率合成器(PLLFS)需要在极短的时间内完成频率切换,为此本文分析了典型PLLFS频率锁定时的暂态响应全过程,并提出了一种加速锁定的新环路滤波结构,该结构利用开关二极管的单向导通特性,在频率跳变时加快非线性响应速度,而且不影响频率稳定后的频谱纯度。仿真结果显示,典型滤波结构的锁定时间为219.3μs,而该滤波结构的锁定时间只有52μs,极大的加速了PLLFS的频率切换。

摘要：设计一款工作在50 MHz到2GHz宽频带的负反馈低噪声放大器模块.分析放大器整体增益较低以及高频段增益显著下降的原因,提出了通过在放大器源级串联增益补偿网络来改善模块增益平坦度的方法.在超过5个倍频程的频带范围内,该放大器模块的测试结果:增益大于26.5dB,平坦度≤±0.75dB,噪声系数小于1.4dB,平均1dB压缩点功率为11.1dBm,输入输出端驻波比良好.

摘要：本文基于接收机应用提出了一种混合式高动态范围自动增益电路。该电路由射频前馈与中频反馈两部分组成,分别负责增益的离散粗调与连续精调。以射频开关,数控衰减器,检波器,可变增益放大器,数模转换器,模数转换器与现场可编程门阵列为核心器件实现了一种输入动态范围110 d B,灵敏度-100 d Bm,输出功率为-19 d Bm的自动增益控制电路。

摘要：毫米波晶体管的制作技术是微波电路设计和制造的基础.从优化器件结构的角度,提出了一种锯齿型源漏的新型InP基HEMT器件.实验证明,采用这种结构可以减少光刻过程中临近效应的影响,改善源漏的图形形貌,提高器件制做的成品率.获得了具有良好直流和微波特性的晶体管,其跨导达到1050mS/mm,阈值电压为-1.0V,截止频率达到120GHz.

摘要：利用MBE外延材料和接触式光学光刻方式,成功制备出1.0μm栅长GaAs基MHEMT器件,分别蒸发Pt/Ti/Pt/Au和Ti/Pt/Au作为栅电极金属.获得了优越的DC和RF性能,Pt/Ti/Pt/Au和Ti/Pt/Au MHEMT器件的gm为502(503)mS/mm,JDSS为382(530)mA/mm,VT为0.1(-0.5)V,fT和fmax分别为13.4(14.8),17.0(17.5)GHz.利用单片集成增强/耗尽型GaAs基MHEMT器件制备出九阶环型振荡器,直流电压为1.2V时,振荡频率达到777.6MHz,门延迟时间为71.4ps.利用Ti/Pt/Au MHEMT器件设计并制备出了DC-10GHz单刀双掷(SPDT)开关MMIC,其插入损耗、隔离度、输入输出回波损耗分别优于2.93,23.34和20dB.

摘要：设计并制作了高性能GaAs微波PIN二极管.分析了GaAsPIN二极管的结构对其性能的影响,并根据分析结果改进了GaAsPIN二极管的结构.制作了常见结构和改进结构的GaAsPIN二极管,比较了不同结构的GaAsPIN二极管的测试数据,从而验证了理论分析的结果.改进后的GaAsPIN二极管制作工艺更为简单,具有良好的高频特性,截止频率达到1520.5GHz.这种改进结构的GaAs微波PIN二极管在微波电路中具有良好的应用前景.