摘要：过渡金属硫化物(TMDs)的带隙工程对于拓宽其在电子和光电子器件中的应用具有重要意义.本文中,我们首次报道了通过简单的一步化学气相沉积法在蓝宝石衬底上外延生长大面积、全组分可调的ZrS_(2(1-x))Se_(2x)合金薄膜.ZrS_(2(1-x))Se_(2x)合金表现出优异的单晶性和外延质量,以及均匀的元素分布,其与衬底的外延关系被确定为ZrS_(2(1-x))Se_(2x)(0001)[10-10]//蓝宝石(0001)[11-20].ZrS_(2(1-x))Se_(2x)合金的带隙随组分的变化从1.86到1.15 eV连续可调,且表现出明显的弯曲特性.基于ZrS_(2(1-x))Se_(2x)的光电探测器对可见光具有灵敏的光响应,响应时间约为100μs,随着Se组分的减少,探测器性能显著提高.本工作为合成带隙可调的ZrS_(2(1-x))Se_(2x)合金提供了一种有效方法,为设计基于TMDs的光电器件提供了极大的灵活性.