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共焦式磁控溅射设备研制及工艺验证: 收藏
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引用; 《电子工业专用设备》2023年第6期52卷 41-46页; 作者：黄也何秋福石任凭龚俊王建青肖晓雨尹联民佘鹏程中国电子科技集团公司第四十八研究所湖南长沙410111; 通过分析InP基激光器和探测器芯片电极金属薄膜工艺需求与特性,采用多靶共焦结构,多梯度真空等设计优化了专用磁控溅射系统,实现晶圆复合膜层沉积,晶圆台面或沟槽图形良好的覆盖性。针对标准100 mm(4英寸)InP基片的生产需求,满足100 mm...; 通过分析InP基激光器和探测器芯片电极金属薄膜工艺需求与特性,采用多靶共焦结构,多梯度真空等设计优化了专用磁控溅射系统,实现晶圆复合膜层沉积,晶圆台面或沟槽图形良好的覆盖性。针对标准100 mm(4英寸)InP基片的生产需求,满足100 mm片剥离工艺的低温溅射成膜要求设计工艺试验。实验结果表明,所沉积的金属薄膜均匀性优于5%,台阶覆盖比大于0.3,满足InP基晶圆薄膜沉积和表面覆盖层制备工艺需求。; 来源：详细信息评论

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