摘要：定量化探索中国北方在平水年下,不同大豆玉米复合种植模式的种间竞争与种间互惠关系,以期为旱作条件下选择合理的牧草种植模式提供理论依据。试验选用我国中南部春播区推荐的作物品种大豆铁丰31和玉米强盛199,在旱作区域开展不同大豆玉米带状复合种植模式的大田栽培试验,采用完全随机区组设计4种大豆玉米带状复合种植模式,同时以大豆与玉米清种作为对照,测定不同种植模式下的生物量、邻体效应指数(RII),比较不同种植模式下大豆和玉米的互作关系。结果显示,大豆RII为-0.28~0.13,玉米RII为-0.28~0.12。在6行大豆3行玉米(S6M3)复合种植模式下,大豆和玉米的生物量较清种对照分别增加了28.95%和27.79%,且高于其他复合种植模式下作物生物量;大豆和玉米的RII分别为0.13和0.12,二者存在正相互作用。综上,在与试验区年降雨量相差不明显的旱作区域,选择S6M3复合种植模式有望提高青贮饲料产量。

摘要：作为新一代宽禁带半导体，氧化镓因具有更大的禁带宽度（4.4～4.8 eV）和更高的击穿场强（8 MV/cm）,成为制备耐高压、高频、高功率电力电子器件的最佳候选材料。然而，氧化镓肖特基二极管具有终端电场边缘集中效应，导致器件因提前击穿而失效，从而限制了氧化镓的应用。本文通过将可以缓解电场边缘集中效应的高阻区和抑制反向漏电的电子势垒层相结合，设计了一种新型复合终端。仿真结果表明：引入高阻区终端结构的器件电极边缘附近的峰值电场从3.650 MV/cm下降到0.246 MV/cm,可以有效缓解电极电场边缘集中效应。当高阻区Mg离子注入浓度为1019cm-3时，击穿电压从725 V提高到2 115 V,巴利加优值从0.060 GW/cm2增加到0.247 GW/cm2,临界击穿场强从3.650 MV/cm提升到5.500 MV/cm,提高了50.7%;与此同时，电子势垒层AlN的引入使器件反向漏电流大幅降低，反向击穿电压提升至2 690 V。该新型复合终端结构不仅可以有效抑制器件的反向漏电流，同时可以有效提升器件的反向击穿电压。本研究为耐高压、低反向漏电流氧化镓肖特基二极管的研制提供了理论基础。