摘要：十一届全国人大代表、中国工程院院士、北京有色金属研究总院院长屠海令说，“工程技术创新是一个继承和发展的过程，创新不可能靠主观凭空想出，只有在多年积累的研究经验，其中包括数据、图纸、设计方案等档案资料的基础上才能进行创新。这个基础越大、越广、越扎实，创新的可能性和能力就越强。因此，档案是工程技术创新的源泉和重要基础之一。同时，一支具有优良历史传统的队伍和配套的硬件设施在这其中也是必不可少的。”

摘要：新材料是指新出现的具有优异性能和特殊功能的材料,以及传统材料成分、工艺改进后性能明显提高或具有新功能的材料。新材料是工业产品质量升级换代的保证和产业技术创新的前提,同时也是其他新兴产业发展的基础,在航空航天、信息通讯、高端制造、智能交通、新能源、新医药和数字创意等领域发挥着不可或缺的重要作用。建国70年来,我国新材料产业不断发展壮大,在体系建设、产业规模和技术进步等方面取得了明显成就,目前正处于由大向强转变的关键时期,新材料产业持续健康发展将为新一轮科技革命和产业变革奠定坚实的基础。本文阐述了我国新一代信息材料、新能源材料、稀土材料、生物医用材料、先进结构材料、特种功能材料、高性能复合材料以及前沿新材料的发展现状,梳理并分析了新材料产业发展存在的短板和突出问题,提出了发展重点与相关的政策建议。

摘要：随着超大规模集成电路设计线宽向深亚微米级(<05μm)和亚四分之一微米级(<025μm)发展,对半导体硅片及其它硅基材料的质量要求越来越高,研究上述材料中各种杂质的行为,控制缺陷类型及数量,提高晶体完整性,降低表面污染和采用缺陷工程的方法改善材料质量显得尤为重要。文章阐述了深亚微米级和亚四分之一微米级集成电路用大直径硅材料中铁、铜金属和氧、氢、氮非金属杂质元素的行为,点缺陷及其衍生缺陷的本质与控制方法,硅片表面形貌、表面污染与检测方法的研究热点。同时还介绍了外延硅、锗硅及绝缘体上硅(SOI)等硅基材料的特性、制备及工艺技术发展趋势,展望了跨世纪期间硅及硅基材料产业发展的技术经济前景。

摘要：随着超大规模集成电路设计线宽向纳米尺寸过渡,对半导体硅材料的性能和参数提出了更加严格的要求。本文阐述了绝缘体上硅(SOI)和锗硅(SiGe)等主要硅基半导体材料的研究进展,讨论了这些材料应用于纳米集成电路和微电子、光电子器件的经济技术前景。