摘要：分析了基于球面波载波的计算全息透镜的设计方法 ,给出了载波参数应满足的条件和抽样间距、抽样点数与设计参数 (焦距、孔径 )之间的关系 ,讨论了实际数字化全息制作设备对输出全息透镜参数的影响并给出了参考解决方法。

摘要：基于紫外固化胶和聚砜聚合物材料体系,采用脊形单模波导结构,理论设计并优化了聚合物波导环形谐振腔滤波器的波导截面参数、弯曲半径和耦合区波导间距等结构参数,分析了其滤波响应特性。并在此基础上,结合光刻、反应离子刻蚀等传统的微加工工艺制备了聚合物环形谐振腔滤波器,并进行了光谱测试,器件测试结果与设计基本符合。结果表明,该聚合物微环谐振腔滤波器在通信波段1550nm附近的自由光谱范围为0.21nm,3dB带宽为0.04nm,插入损耗为26dB,消光比达到了11dB,品质因子达到了3.87×104。该聚合物微环谐振腔滤波器可以用于光通信及光传感集成芯片。

摘要：用时域有限差分法,给出光纤头近场区电场强度模的空间分布.讨论了当光纤纤芯分别取不同尺寸时,对此空间光场强度的影响.要想得到较大范围的暗中空光束,必须增加光纤纤芯尺寸.并且,对光纤纤芯尺寸取一较大值和光纤中空区域尺寸取一较小值时的情况进行讨论,可得在光纤头附近可以出现与光纤中空区域尺寸大小相当的暗斑(101nm量级).但是,暗中空光束中背景光较强.为此,将光纤的空心设计为金属.发现此时中心暗斑的背景光明显减弱,在近场区域可获得较为理想的暗中空光束.如进一步缩小光纤中空区域尺寸,可以在光纤头附近获得暗斑更小甚至纳米量级的暗中空光束.为获得一种纳米量级的暗中空光束提供一种方法.

摘要：利用紫外固化聚合物材料ZPU46和ZPU44分别作为芯层和包层材料,设计并制备了中心波长在1 550nm附近的三阶聚合物波导布拉格光栅(WBG)滤波器。采用接触式光刻和反应离子刻蚀(RIE)等传统微加工工艺,在高为4μm的单模矩形波导表面制备周期为1.6μm、高为680nm的皱褶型光栅结构。实验测得截面尺寸为4μm×4.2μm和5μm×4.2μm)的三阶聚合物WBG的谐振波长分别为1 549和1 550.5nm,边模抑制比分别为19和18dB,3dB带宽分别为0.4nm和0.6nm,插入损耗为-7dB,与理论设计结果符合较好。

摘要：本文利用外赋式全光纤Ｆ－Ｐ腔进行光学选频，并对此器件的基本性质，特别是作为选频器的一些特性参数进行了分析与研究，设计了外赋式Ｆ－Ｐ腔的基本结构及结构参数，并分析了此选频器在不同腔长时的输出谱线特性。

摘要：根据双光子吸收效应与分子之间"构效"关系,设计四种D-π-A推拉偶极型电荷转移分子,采用AM1方法计算出分子三阶极化率,筛选出具有潜在三阶非线性光学活性分子2-(3-腈基-(3-(4-(二甲胺基)苯乙烯基)-5,5-二甲环己基-2-烯)甲基)-5,5-二甲基呋喃-2-烯)丙二腈(CFM).首次在温和条件下使酮羰基与TCF(2-(3-腈基-4,5,5-三甲基呋喃-2-烯)丙二腈)的活泼甲基通过Knoevenagel反应合成出目标分子.通过非线性透过率法研究了CFM的双光子吸收性质,采用Ti:Sapphire激光器在800 nm,150 fs激光激发下测得了CFM的双光子吸收截面σ2,在DMF溶剂中达到104.29 GM,在CH2Cl2溶剂中达到78.22 ***具有较强的双光子吸收特性和光限幅效应.

摘要：以聚合物ZPU44和ZPU46作为波导包层和芯层材料,设计并制备了基于Mach-Zehnder干涉仪（MZI）的集成折射率传感器。设计并优化了波导截面参数、弯曲半径和传感窗长度等结构参数,分析了其折射率传感特性,进而采用光刻、反应离子刻蚀（RIE）等传统的微加工工艺制备了聚合物MZI折射率传感芯片。测试结果表明,制备的聚合物MZI传感器在1.33~1.44的折射率变化范围内具有较好的线性度,折射率灵敏度约为88dBm/RIU,与设计基本符合。本文的聚合物折射率传感器传感窗长度小,容易实现阵列化,在生化传感领域有很好的应用前景。

摘要：可调光衰减器(VOA)是密集波分复用(DWDM)网络中的重要器件之一,它的一个重要应用是实现多通道间的功率均衡。提出了一种基于三波导耦合结构的聚合物电光可调光衰减器的设计方案,即利用两个旁侧波导耦合掉主通道波导中的光,从而达到衰减的目的。并运用束传播法(BPM)对该器件进行了相关性能的模拟、分析及优化,使得该结构衰减达到60 dB,驱动电压为11.3 V,插入损耗为0.48 dB。该结构有效的降低了驱动电压,并使该结构的高衰减可调光衰减器得以实现。

摘要：针对对称马赫-曾德尔干涉(MZI)型光开关工艺制备中形成的光栅结构所引起的导模与辐射模耦合是恶化光开关串扰特性的一个重要因素,提出一种采用非对称的MZI结构来抑止光栅导模和辐射模间耦合的新型聚合物电光开关设计方案。研究结果表明,光开关的串扰可以从-20dB改善到-50dB以上;同时,器件的开关电压也从传统MZI型结构开关电压的1.5Vπ减小到了1.0Vπ。

摘要：设计并制备了一种基于热光效应的集成可调谐氮化硅(Si3N4)波导微环谐振腔滤波器,通过采用马赫-曾德干涉仪(MZI)构成的可调谐耦合器控制耦合区耦合比,以实现滤波器消光比的调谐。设计并优化了微环谐振腔的波导截面尺寸、弯曲半径和耦合区波导间隔等参数,并通过光刻、反应离子刻蚀(RIE)等工艺制备了两种不同弯曲半径的Si3N4波导微环谐振腔。实验结果表明,本文器件在波长1 550nm附近处的自由光谱范围(FSR)为68pm,3dB带宽约为16pm,品质因子Q达到了9.68×104,消光比可调范围约为17dB。