摘要：印度JSW钢厂焦化废水处理工程,在设计水力停留时间短的情况下,原水不稀释直接生化处理。经过近3个月的调试、运行,出水均可达到设计标准:COD为140～210 mg/L(设计值250 mg/L),去除率大于91%;氨氮质量浓度小于10 mg/L(设计值50 mg/L),去除率大于97%;运行成本较国内类似项目节省3～5元/m3。

摘要：介绍了波形发生器设计的整体思路,较为详细的讨论了波形发生器的三种设计方案及各自的特点,为波形发生器设计的初学者提供一定的设计思路借鉴。

摘要：仪表放大器电路以其高输入阻抗、高共模抑制比、低漂移等特点在传感器输出的小信号放大领域得到了广泛的应用。在阐述仪表放大器电路结构、原理的基础上,基于不同电子元器件设计了四种仪表放大器电路实现方案。通过仿真与实际电路性能指标的测试、分析、比较,总结出各种电路方案的特点,为电路设计初学者提供一定的参考借鉴。

摘要：膜生物反应器(MBR)是一种新型高效的污水处理工艺,出水可以作为中水回用,其在生活污水、工业废水及厕所废水、垃圾渗滤液、医院污水等特殊行业均已有研究和应用。介绍了MBR在不同领域的应用情况和工程实例,总结了在实际应用中存在的膜造价较高、能耗较高和膜污染等问题。

摘要：以分割为基础的法向估计算法主要是通过法向的差异来构造点之间的相似性.针对由于距离属性的缺失,使这类算法对于紧邻面及一些光滑曲面的估计结果并不理想的问题,提出基于差异性累积与子空间传播的法向估计算法,利用最短路将法向的差异性和点的位置信息相融合.首先,对于部分点的邻域,找到邻域点间的最短路,通过叠加最短路中点的法向差异,计算点之间的相似性;然后,利用谱分割对邻域进行分割,选择一子邻域估计此点的法向;最后,为了提高效率,提出法向约束的子空间结构传播算法,其余邻域的分割结果由已有的分割结果进行推断.在Fandisk等仿真数据和Armadillon等真实扫描数据上的实验结果表明,文中算法能准确地恢复模型的尖锐特征,有效地克服噪声及非均匀采样.

摘要：针对传统的航空维修工具管理模式存在的弊端,运用射频识别(RFID)技术设计一个航空维修工具管理系统。根据当前机务维修工具管理模式和存在问题进行需求分析,对需求完成功能分解、业务流程设计和数据库构建;采用Python语言,利用PyQt模块开发管理信息系统界面,采用Flask框架构建后端服务器API;基于Android开发手持端,实现射频模块的调用采集、上传数据;选择轻量级SQLite进行数据存储。通过系统对航空维修基层单位开展工具管理,有助于增强基层部队工具房管理的安全性与便捷性。

摘要：Java程序设计是物联网工程专业的一门核心专业课,它在物联网应用层开发中起着重要的作用,同时该门课程由于自身知识体系比较复杂,课程本身涉及的系统类库和方法众多对初学者造成了一定的难度,加上受学时所限传统的教学模式受到了一定的挑战,学习者普遍反映课程难,影响到后续课程的开设,因而教学模式改革势在必行。MOOC以当今互联网为基础,不受时间和空间限制交流互动性强等优势,自从推出就受到广大学习者的喜爱。本文尝试将传统教学和MOOC相结合,提出了基于MOOC平台的Java程序设计课程混合教学模式,努力打造更适合师生的优质教学模式。

摘要：针对某型航空发动机在使用过程中存在的地面起动性能不佳、需要频繁调整和空中起动边界较小的问题,提出一种在开环起动系统的基础上叠加供油修正系统后形成闭环起动系统的方法。在保证燃油接口不变的约束下,通过借用原有油源及增加电液转换指令相结合的方式改进设计了一种带燃油流量修正功能的起动装置,利用数字电子控制器的计算能力,采用基于转速升高率的PID控制算法实现了发动机的闭环起动。结果表明:在平原机场地面起动成功率达到99.8%,在高原机场地面起动不经调整或经过1次适应性调整就能保证发动机可靠起动,空中惯性起动包线左扩100 km/h,空中风车起动包线左扩50 km/h,大幅度提高了发动机的起动成功率,有效减少了因大气温度或海拔高度变化进行调整的工作。

摘要：研究了Si重δ掺杂In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As单量子阱内高迁移率二维电子气系统中的反弱局域效应.研究表明,强的Rashba自旋轨道相互作用来源于量子阱高的结构反演不对称.高迁移率系统中,粒子的运动基于弹道输运而非扩散输运.因此,旧的理论模型不能用于拟合实验结果.由于最新的模型在实际拟合中过于复杂,一种简单可行的近似用于处理实验结果,并获得了自旋分裂能Δ0和自旋轨道耦合常数α两个重要的物理参数.该结果与对纵向电阻的Shubnikov-deHaas—SdH振荡分析获得的结果一致.高迁移率系统中的反弱局域效应研究表明,发展有效的反弱局域理论模型,对于利用Rashba自旋轨道相互作用来设计自旋器件尤为重要.

摘要：利用分子束外延(MBE)技术,以5N的ZnCl2作为掺杂源,在半绝缘GaAs(001)衬底上异质外延生长ZnSe∶Cl单晶薄膜。研究发现,掺入ZnCl2后,ZnSe外延层的结晶质量和表面形貌与本征ZnSe外延层相比变差,双晶X射线摇摆曲线(DCXRC)的ZnSe(004)衍射峰半峰宽(FWHM)从432arcsec增大到529arcsec,表面均方根粗糙度(RMS)从3.00nm增大到3.70nm。当ZnCl2掺杂源炉的温度为170℃时,ZnSe样品的载流子浓度达到1.238×1019 cm-3,可以满足结型器件制作和隧道结材料设计的要求。