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静态存储单元电路设计工艺的研究: 收藏
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引用; 《电子元件与材料》2002年第12期21卷 13-16页; 作者：李彦旭巴大志成立江苏大学电气信息工程学院江苏镇江212013 太原理工大学信息工程学院山西太原030024; 论述了静态存储单元电路对目前高速数字系统的意义。通过采用对双极型(Bipolar)、互补对称式金属–氧化物–半导体型(CMOS)、双极互补金属氧化物半导体型(BiCMOS)三种不同工艺所设计的静态存储单元电路在性能、特点方面进行比较的方法,...; 论述了静态存储单元电路对目前高速数字系统的意义。通过采用对双极型(Bipolar)、互补对称式金属–氧化物–半导体型(CMOS)、双极互补金属氧化物半导体型(BiCMOS)三种不同工艺所设计的静态存储单元电路在性能、特点方面进行比较的方法,从而提出一些实际的解决措施,以便研发人员在设计具体的SRAM电路时有所参考。; 来源：详细信息评论

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