摘要：为提高核电设备表面缺陷检测能力,研究了近场发光二极管(LED)点光源照明条件下的光度立体三维检测方法。该方法采用迭代算法,确定光源发光特性参数,进而实现精确的光照强度估计,并结合光源与被检表面点空间位置的计算方法,实现近场LED点光源照明下被检测面上不同点的光照强度与光线方向的估计。以此为基础设计表面缺陷三维检测系统,并将该系统在表面损伤试样以及实际核电设备上进行实验验证。结果表明,该系统可以获取表面缺陷三维信息,并且对于划伤类缺陷,能够实现比较精确的深度测量。因此,该系统可以有效提高表面缺陷的检测能力。

摘要：为提高恒虚警检测器在不同检测背景下的鲁棒性和抗干扰能力,提出一种综合型的自适应检测器,其具备多策略选择能力和检测参数动态调节能力。所提检测器引入贝叶斯信息准则,通过计算参考单元的信息估计序列,对当前检测背景类型进行识别。进一步,在非均匀检测背景下,该检测器能够对干扰目标个数或杂波边缘位置进行估计。最终根据识别和估计结果选择对应的检测策略和检测参数。利用蒙特卡罗仿真,对所提检测器性能进行分析,并与经典检测器进行比较。仿真结果表明,该检测器具备检测背景识别能力和背景参数估计能力。同时,该检测器在检测背景参数先验知识不足的情况下,具有较好的抗干扰能力。

摘要：非物质文化遗产的保护与传承已成为近年来的学术热点问题。随着城市化进程的加快,非物质文化遗产原有的生存环境被破坏,其保护和传承问题遭遇到了困境。各级学校作为文化传承的重要阵地,应承担起非遗保护传承的重任。

摘要：“中国有坚定的道路自信、理论自信、制度自信,其本质是建立在5000多年文明传承基础上的文化自信。”纵观我国历史长河,我国的传统文化不仅为现代社会留下了丰富的文化遗产,也对世界文明史的发展产生了巨大而深刻的影响。习近平总书记在十九大报告中特别指出：“中国特色社会主义文化,源自于中华民族五千多年文明历史所孕育的中华优秀传统文化。”因此,认真总结并借鉴、吸取我国传统社会文化建设的有利经验。

摘要：隧道建设是城市地下空间开发的主要内容,从经济和环境两方面解决城市交通快速增长的问题。然而,在有限的城市空间内,隧道与既有桥梁相交或接近,有时通过桥面和桩基,相互作用复杂。在此基础上,根据城市隧道施工的特点,结合某隧道工程,分析隧道桥梁存在的问题,结合隧道设计方案、水文条件、土力工程及地质环境,在合理可行、经济合理的基础上,提出了相应的解决方案、安全等方面的观点,隧道桥梁加固及施工技术分析。

摘要：博士后科研人员是推进一流大学建设、牵引科学技术革新、驱动国家创新发展的生力军。以博士后为“制度媒介”,采用聚敛式平行设计的混合方法展开调查,洞悉博士后对管理制度的真实感知。研究发现,一流高校优势学科博士后对入站程序管理制度、岗位职责分配制度、薪酬福利待遇制度、科研项目资助制度、合作导师职责制度、出站考核与留任制度既产生积极正向的情感体验,例如对薪酬福利待遇、导师学术指导较为满意;但同时也不可避免地催生消极负面情绪,如认为行政事务烦琐、公积金较低、科研资助力度弱、出站和留任要求高。从制度分析视角来看,博士后管理实践深深嵌入在多重制度逻辑的博弈互动中,尽管高校管理者的理性设计有力推动“制度维持”向“制度创新”转变,但不同劳动力市场博士后与一流高校的利益“耦合”与“脱耦”致使博士后管理制度乱象丛生。

摘要：回顾以往抗战类影片,大都从正面揭露战争的残酷、人性的无奈,但冯小宁导演的《紫日》截然不同,本文通过从影片中提取的四个关键词,深度剖析影片所包含的深层意味,对其进行深层次的解读。

摘要：影视在当今社会已经成为一个具有相当强影响力的媒介,其多元容纳性也让它在与时俱进的进程中焕发出了更加旺盛的生命力。非物质文化遗产的保护作为全人类共同的使命,也不断地渗透到了影视艺术当中进发新生。影视与非物质文化遗产两者独特的文化场域互相碰撞,所构成的互动生态的生命力为两者的发展带去了不可忽视的巨大动力。

摘要：有效提高隧道结的峰值隧道电流密度(Jp)是提高多结太阳电池(MJSC)聚光倍数和光电转换效率的关键。根据隧道结的电子输运原理,隧道结p区价带费米能级之上的空量子态与n区导带费米能级之下的满量子态相等时,提高掺杂浓度对提高Jp的作用是最明显的,此时两侧浓度存在一个最优比。基于该分析设计了一系列GaAs隧道结结构,采用分子束外延(MBE)技术获得了外延样品。样品的I-V测试结果与理论计算较为一致,表明增加隧道结掺杂浓度时,两侧浓度比越接近最优比时对Jp的影响越明显,反之则越不明显。

摘要：有效提高隧道结的峰值隧道电流密度(J_p)是提高多结太阳电池(MJSC)聚光倍数和光电转换效率的关键。根据有限表面源扩散原理求解Fick扩散方程得到了隧道结界面处杂质扩散浓度分布,发现隧道结界面处的杂质扩散会增加空间电荷区宽度,导致隧道结的J_p降低。通过在隧道结中间加入非掺杂区(Ⅰ区)的方法对隧道结结构进行优化,分析得出厚度合适的Ⅰ区可以减小界面处杂质扩散带来的不利影响。基于该分析设计了一系列GaAs隧道结结构,采用分子束外延(MBE)技术获得了外延样品,结果表明在生长温度和掺杂浓度不变的情况下,隧道结中加入合适厚度的Ⅰ区可以提高J_p。