摘要：逆导型绝缘栅双极型晶体管(RC-IGBT)在从单极性导通模式切换至双极性导通模式的过程中,存在特有的电压回跳现象,影响了器件的可靠性,增大了开关损耗。此处对RC-IGBT的导通过程进行了详细的理论分析,针对造成电压回跳现象的横向电子电流,使用微元法建立了电流微分模型,提出了一种通过优化器件底面布局来抑制电压回跳的解决策略,并给出了增加并联MOSFET单元数量、适当减小N^+短路区长度、调整N^+短路区位置等具体实施方案。该研究利用Silvaco TCAD仿真软件,结合半导体生产工艺,实现了实物RC-IGBT芯片的无回跳输出特性,有力验证了所提抑制策略的有效性,为RC-IGBT的设计提供了有价值的参考。

摘要：为了提高功率等级和改善系统效率,降低磁件尺寸和缩小成本,便于电解电容选型和简化设计流程,意法半导体(ST)公司推出了单相两级和三级交错有源功率因数校正(APFC)用模拟和数字混合控制器以及相应的设计软件eDesignSuite。本文主要介绍单相两级交错APFC混合控制器STNRGPF12的工作原理和两级交错APFC设计方法,其中包括数字软上电原理和eDesignSuite使用情况,并给出了软上电部分仿真分析和文献中测试结果。