摘要：基于分类学数据库及大量文献资料,以行政县为基本单元对中国陆域分布的野生唇形科进行整理,统计其物种多样性、属的区系、分布地等信息,建立了中国野生唇形科植物地理分布数据集。截至2024年1月,共记录100属1387种(含种下单元),其中属内含种数>150的属仅有黄芩属Scutellaria;属内物种数介于101~150的属为鼠尾草属Salvia(137种)、香茶菜属Isodon(106种);属内物种数介于6~50的共有36属,合计733种,是中国野生唇形科植物的主要成分;属内包含种数≤5的属共有59个,合计119种,占中国野生唇形科植物总种数的8.58%;单种属多达33个,表明中国野生唇形科植物属内种较为贫乏但属多样性高的特点。以黄芩属、鼠尾草属、香茶菜属为主要分布属,3属共394种,占总物种数的28.62%;野生唇形科在我国所有省(自治区、直辖市)均有分布,主要分布在我国喜马拉雅山脉东段、鄂西渝东山地、藏东南–滇西北地区、滇东–桂西山地,尤以云南省(658种)、四川省(532种)物种丰富度为最高;属的区系成分多样,根据吴征镒对中国种子植物属的分布区类型的划分原则,中国野生唇形科植物100属归属于15个正型与12个变型,以热带区系及温带区系占主导,与热带区系分布有关的属共计37属479种,明显占优势地位;温带成分次之;也有6个地中海区系分布的属及2个东亚和北美洲间断分布的属渗入。中国野生唇形科植物功能多样,主要可分为药用植物类、香料植物类、蜜源植物类、野生蔬菜类、观赏植物类和油脂植物类。

摘要：为了实现Ⅲ-V器件在硅基平台上单片集成,近年来Ⅲ-V半导体在硅衬底上的异质外延得到了广泛研究。由于Ⅲ-V半导体与Si之间大的晶格失配以及晶格结构不同,在Si上生长的Ⅲ-V半导体中存在较多的失配位错及反相畴,对器件性能造成严重影响。而Si(111)表面的双原子台阶可以避免Ⅲ-V异质外延过程中形成反相畴。本文利用分子束外延技术通过Al/AlAs作为中间层首次在Si(111)衬底上外延生长了GaAs(111)薄膜。通过一系列对比实验验证了Al/AlAs中间层的插入对GaAs薄膜质量的调控作用,并在此基础上通过低温-高温两步法优化了GaAs的生长条件。结果表明Al/AlAs插层可以为GaAs外延生长提供模板,并在一定程度上释放GaAs与Si之间的失配应力,从而使GaAs薄膜的晶体质量得到提高。以上工作为Ⅲ-V半导体在硅上的生长提供了新思路。

摘要：采用静电组装技术,制备"葡萄串"结构的炭黑(CB)/多壁碳纳米管(MWCNT)(CB/MWCNT)纳米复合材料,并以其作为导电填料,经混炼、压延和硫化后,制备柔性导电硅橡胶(SR)复合材料。分别以透射电子显微镜,扫描电子显微镜和压力-电阻测试研究不同配合比和掺量的CB和MWCNT的组装效果、分散状态和压阻特性。结果表明,CB和MWCNT的体积配合比为3∶2条件下,静电组装效果最好,静电组装形成的"葡萄串"结构,可以提高CB/MWCNT/SR的导电性和压阻特性,CB/MWCNT/SR的渗流阈值为22%,施加25N压力条件下,电阻率下降约30%,CB/MWCNT/SR表现出良好的压阻特性。