摘要：在功率半导体市场中,绝缘栅双极型晶体管(Insulated gate bipolar transistor,IGBT)和碳化硅金属氧化物半导体场效应管(Silicon carbide metal-oxide-semiconductor field-effect transistor,SiC MOSFET)具有出色的耐压性与频率特性,逐渐取代了传统的MOSFET。为了提高IGBT和SiC MOSFET驱动电路的可靠性,设计了一款光耦隔离式栅极驱动芯片,通过协同设计光探测器与驱动电路,从而实现单片集成。使用Silvaco软件对光探测器进行了仿真。仿真结果显示:光探测器对800 nm波长红外光的响应度约为0.277 A/W,-3 dB带宽约为90 MHz。进一步对光耦的光学结构进行优化设计,实现了控制端与后端高压驱动电路的有效隔离,从而解决了串扰问题。使用Maxchip 0.18μm 40 V BCD工艺进行流片,并对封装芯片进行测试。在光源输入电流为10 mA、芯片供电电压为12~40 V、输入信号频率为20 kHz的测试条件下,芯片的传播延时仅为98 ns。

摘要：总损失吸收能力(TLAC)是金融稳定理事会针对全球系统重要性银行(G-SIBs)设置的监管指标,旨在确保相关银行进入处置程序时有充足的自救能力,减轻“大而不能倒”的负外部性。根据我国的监管要求,我国G-SIBs将从2025年初开始分阶段实施TLAC监管规则。本文回顾了我国TLAC监管实施进展,分析了G-SIBs如期达标面临的挑战,从监管政策落地实施视角归纳发达经济体的达标经验。建议多措并举,进一步优化TLAC监管制度设计,有效利用豁免期,加快培育债券市场,争取以合理成本实现监管达标,提升我国G-SIBs的TLAC建设水平。