摘要：提出了一种基于LTCC技术的新型宽阻带高抑制带通滤波器的实现方法。通过金属柱加载接地电容形成谐振单元,一方面能够有效缩小滤波器的体积,另一方面由于其高阶谐波分量远离中心频率且被有效地抑制,实现了高频端衰减性较好的宽阻带。采用六级谐振器提高滤波器的矩形系数和带外抑制性能。最终设计了一款中心频率为4.55GHz、带宽为1.3GHz的带通滤波器,阻带7.5~20GHz内的衰减均优于60dB,在7.5~18GHz内的衰减均大于80dB,体积仅为6.2mm×2.0mm×1.2mm。实测结果与HFSS仿真结果较为吻合。

摘要：针对复杂电磁干扰,采用电磁耦合相消产生传输零点的原理,提出一种基于电磁耦合相消的宽阻带滤波器。对电路谐振单元进行奇偶模分析,在ADS软件中设计电路,然后在HFSS软件中对该电路进行三维仿真优化,最后采用LTCC材料进行生产。该器件采用左右对称结构,以降低设计复杂度和元件体积;利用电磁耦合相消原理确定零点位置,调整谐振间距实现零点控制;加入源负载耦合,以实现第4个传输零点,增强选择性和阻带宽度。最终设计的宽阻带滤波器物理尺寸为3.2 mm×1.6 mm×0.89 mm,实物测试结果表明该器件阻带范围广且通带具有高陡峭性。

摘要：提出了一种新型的具有高次谐波抑制特性的低温共烧陶瓷(LTCC)带通滤波器。该滤波器电路由磁耦合的五级谐振腔组成,每个谐振腔均由金属柱加载金属片实现,金属片对地大电容增强了结构本身的慢波效应,从而有效减小了滤波器的体积,提高了带外衰减,实现了高次谐波抑制。运用三维电磁仿真软件HFSS建模仿真,设计了一款中心频率为5. 14GHz,带宽为1. 48GHz的带通滤波器,阻带9. 15GHz～30GHz内的衰减均优于70dB,高次谐波被抑制到30GHz处,体积仅为5. 4mm×2. 2mm×1. 2mm。测试结果与仿真结果较为吻合。与目前存在的一些谐波抑制滤波器相比,本文设计的滤波器衰减程度更强,抑制范围更广,在应用中更具优势。

摘要：提出了一种基于四模谐振器的小型化双通带滤波器的实现方法。该四模谐振器是在弯折后两端开路加载开路枝节的双模谐振器的一侧增加两个开路枝节实现,减小了滤波器的尺寸。另外,采用集总电容替代开路传输线的等效电容法进一步实现了滤波器的小型化设计。引入源-负载耦合结构产生传输零点,加强了带外抑制。通过LTCC(Low Temperature Co-fired Ceramic,低温共烧陶瓷)工艺实现的双通带滤波器性能良好,两通带内的插入损耗均小于1.5dB,回波损耗均大于15dB,带外抑制均超过20dB,其中高频通带高频端的阻带抑制和两通带之间的阻带抑制均超过30dB,体积仅为4.8mm×4.2mm×1.5mm,测试曲线与HFSS仿真曲线吻合良好。该四模双通带滤波器具有选择性高、体积小等优点,具有很好的应用价值,并且为LTCC多频带通滤波器的设计提供了新思路。

摘要：本文借助低温共烧陶瓷(LTCC)多层三维集成技术设计了一款中心频率为880MHz的带通滤波器,设计中采用集总LC谐振器与分布式耦合相结合的结构来实现小型化和高性能。该滤波器采用四级LC并联谐振单元通过彼此间电与磁依次交替耦合的新型结构实现了良好的带外特性,并通过在一、四级间添加交叉耦合引入两个传输零点,增加了带外衰减性能。经过电路仿真及三维电磁场仿真优化,最终设计的带通滤波器尺寸为4.5mm×4mm×1.5mm。实测结果表明,滤波器的中心频率880MHz,带宽160MHz,带内插损小于2dB,驻波比优于1.2,带外抑制大于25dB(0～700MHz,1.1GHz～2GHz),与仿真设计指标较吻合。

摘要：提出了一种基于LTCC技术的新型小型化吸收式带通滤波器的实现方法。该吸收式滤波器基于耦合相消原理由两个四阶梳状线带通滤波器和两个3dB正交定向耦合器组成。为了减小实物体积,梳状线带通滤波器采用三层短路耦合线结构,耦合器采用两层蛇形宽边耦合带状线结构,并且上下放置两个梳状线带通滤波器。运用三维电磁仿真软件HFSS建模仿真,设计了一款吸收频带范围为2GHz^4GHz,滤波频带范围为2.85GHz^3.25GHz的吸收式带通滤波器,通带内插入损耗小于2dB,各端口驻波比优于1.4,在低阻带0GHz^2.55GHz和高阻带3.55GHz^5GHz内的衰减均大于30dB,体积仅为8.4mm×5mm×2.5mm。测试结果与HFSS仿真结果较为吻合。