摘要：由于交换偏置效应对磁记录和自旋电子器件的重要意义,在磁性形状记忆合金中获得大偏置场一直是人们长期努力的目标.本文通过调控Ni50Mn34In16-xFex(x=1,3,5)磁性形状记忆合金的磁性基态(取决于合金成分)和磁场历史(取决于冷却过程中冷却场HFC和等温磁化过程中所施加的最大测试场HMax),对交换偏置行为进行了系统研究.结果表明,调控磁性基态和磁场历史可以获得最大铁磁簇与反铁磁基体界面体积分数以及它们之间的强相互作用,从而诱发了界面上强单向各向异性,产生了大交换偏置场.本文提出了获得大交换偏置场需要遵循的两条原则.首先,选择稀磁自旋玻璃与强反铁磁基体的磁性基态成分可获得大交换偏置场;其次,通过增强HFC和降低HMax有利于实现大交换偏置.本研究为设计具有大交换偏置场的非均匀磁性相化合物提供了一种有效的方法.