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切割速度对硅片翘曲的影响: 收藏
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引用; 《半导体技术》2011年第5期36卷 368-372页; 作者：张立于晋京李耀东刘佐星程凤伶库黎明有研半导体材料股份有限公司北京100088; 根据线切割机的工作原理,结合12英寸(1英寸=2.54 cm)单晶直径大、SiC磨削路线长和磨削发热量大的特点,制定了包括线速度、耗线量、砂浆温度、砂浆流量及各部分温度的工艺参数。根据单位时间内钢线的切割面积相等的理论设计了对称变化的...; 根据线切割机的工作原理,结合12英寸(1英寸=2.54 cm)单晶直径大、SiC磨削路线长和磨削发热量大的特点,制定了包括线速度、耗线量、砂浆温度、砂浆流量及各部分温度的工艺参数。根据单位时间内钢线的切割面积相等的理论设计了对称变化的切割速度曲线,又根据砂浆磨削能力的影响设计了非对称变化的切割速度曲线。用两种切割速度变化曲线进行了对比实验,根据实验结果确定在实际切割中必须考虑砂浆磨削能力的影响从而必须采用非对称的切割速度变化曲线。分析了影响线切割机加工质量的因素,并且给出了提高线切割机加工质量的改善方向。; 来源：详细信息评论

KDP晶体电光调制器件的研制及性能测试: 收藏
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引用; 《长春理工大学学报（自然科学版）》2003年第4期26卷 40-42页; 作者：陈春荣王学荣库黎明长春理工大学材料与化工学院长春130022; 本文介绍了KDP晶体的横向电光调制器件的设计原理与制备工艺 ,利用所制备的电光调制器件进行激光通信模拟实验。; 本文介绍了KDP晶体的横向电光调制器件的设计原理与制备工艺 ,利用所制备的电光调制器件进行激光通信模拟实验。; 来源：详细信息评论

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