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千瓦级LDMOS大功率器件研制
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《固体电子学研究与进展》2014年 第1期34卷 F0003-F0003页
作者：王佃利 李相光 严德圣 应贤炜 丁晓明 梅海 刘洪军 蒋幼泉南京电子器件研究所南京210016 
南京电子器件研究所采用背面源射频LDMOS器件结构，通过优化芯片纵横向结构、漂移区结构、漂移区注入、退火条件及场板结构等，突破了大功率器件散热设计、高击穿电压设计与工艺实现等技术难题，成功研制出可输出千瓦功率的LDMOS大功率...
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