摘要：研制了由数字电压、电流及微电流传感器组成的电学传感系统,可替代传统的电压、电流和微电流表,并能够实现实验数据的数字化采集、传输、存储和处理.此外,还开发了标准化的电学元件模块,采用标准化模具和透明结构设计,使所有元器件清晰可见,支持多种规格的元器件,便于在实验过程中灵活调整元件参量.利用这套实验系统,可以开展一系列电学实验项目,包括非线性元件的伏安特性研究、直流电桥、RLC电路分析、电表改装、示波器原理及其应用等实验.

摘要：本文基于第一性原理方法,系统研究了外电场对石墨烯/MoS2范德瓦耳斯异质结界面相互作用及其电子性质的影响.计算结果表明石墨烯和MoS2之间通过微弱的范德瓦耳斯力结合形成异质结,石墨烯/MoS2异质结的能带基本上是单层石墨烯和单层MoS_(2)能带结构的简单叠加并形成了N型肖特基势垒;由于异质结的石墨烯层的电子向MoS_(2)层转移,导致石墨烯表面带正电,MoS_(2)表面带负电,在异质结内部形成了方向由石墨烯指向MoS2的内建电场.此外,对异质结施加不同强度的负电场时,体系的接触类型逐渐由N型肖特基接触类型转变为欧姆接触;对异质结施加不同强度的正电场时,体系的P型肖特基势垒呈降低趋势,体系的N型肖特基势垒呈现先缓慢升高再急剧下降的特点,在电场强度提高至5.0 V·nm^(-1)附近时,接触类型由N型肖特基接触转变为P型肖特基接触.此项工作将对相关二维场效应晶体管的设计提供参考.

摘要：本文基于第一性原理系统研究了非金属元素F、S、Se、Te掺杂对ZnO/graphene异质结界面相互作用及其电子结构的影响。结果表明,ZnO/graphene异质结层间以范德瓦耳斯力结合形成了稳定的异质结,并且形成了n型肖特基势垒。差分电荷密度图表明graphene层的电子向ZnO层转移,使得graphene层表面带正电,ZnO层表面带负电,在界面处形成了内建电场。当掺入F原子时,异质结呈现欧姆接触;当掺入S、Se、Te原子时,异质结肖特基的接触类型均由n型转变为p型,且有效降低了肖特基势垒的高度,特别是Te原子掺入后,p型肖特基势垒高度降低至0.48 eV,提升了电子的注入效率。本文的研究结果将对相关的场效应晶体管的设计和制造提供一定的参考。

摘要：目的针对目前包装领域大量物品需要进行人工点胶与喷漆的现状,设计一种3-UPS/SP并联机构应用于包装领域的点胶与喷漆,以提高工作效率。方法运用螺旋理论对该机构进行自由度分析,并用修正的Kutzbach-Grubler公式对该机构的自由度进行验证。接着用封闭矢量法求出该机构的位置逆解,并根据位置逆解和该机构之间的相互约束条件,运用Matlab软件编程求出该机构的可达工作空间。最后对该机构在点胶与喷漆方面的应用进行了实例分析。结果3-UPS/SP并联机构具有3转(绕x轴、y轴和z轴的转动)1移(沿z轴方向的移动)4个自由度,拥有较大的工作空间,并且在运动过程中没有出现歧义点。结论此机构具有较大的工作空间,自由度多、运动灵活、性能良好,可以应用于包装领域进行点胶与喷漆。

摘要：半球零件是一种电机轴承用半球型偶件,其表面镀制TiN膜层和TiN+DLC膜层,其球面轮廓度及尺寸精度直接决定了电机的精度和寿命。传统的半球零件检测方法通常利用紧固螺钉来对其进行固定,并用螺丝刀手动实现零件的松动锁紧,装夹费时、费力且效率低下。针对这一问题,设计了一种新的磁力装夹装置,利用磁力吸附作用来对半球零件进行装夹。对磁力装夹装置的设计组成、使用方法、误差因素、检测精度等进行了详细介绍,并对其进行了磁力验证仿真,最后对用传统装置和磁力装夹装置得出的检测数据进行了对比验证。在优化检测数据的情况下,该磁力装夹装置极大地减少了装夹时间,提高了半球零件的检测效率,在实际生产检测领域具有很好的应用价值。