摘要：基于TSMC 0.18μm CMOS工艺,设计了一种低噪声、高增益的混频器。通过在吉尔伯特单元中的跨导级处引入噪声抵消技术以降低混频器的噪声;并且在开关管的源级增加电流注入电路的基础上并联一个电容与开关管共源节点处的寄生电容谐振,进一步降低混频器的噪声,增大电路的增益。仿真结果表明,在本振(LO)频率为2.395GHz,射频(RF)频率为2.4GHz时,混频器的增益为14.2dB,双边带噪声系数为5.9dB,输入三阶交调点为-3.2dBm。混频器工作电压1.8V,直流电流为8mA。

摘要：文中提出了一种采用增益提高技术的超宽带低噪声放大器(LNA)。为了通过提高电路的输出阻抗,进而实现改善电路增益的目的,该LNA包含了两级共射共基放大器电路,并在共基晶体管基极引入电感。基于0.13μm SiGe BiCMOS工艺对其进行设计,实现了超宽的31GHz^42GHz的工作频率,增益为20.1dB^30.7dB,噪声系数为1.19dB^1.31dB,并且在1.8V单电源电压供电情况下,消耗的功耗为13.2mW。