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用于POF的高性能共振腔发光二极管
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《物理学报》2009年 第9期58卷 6304-6307页
作者:李建军 杨臻 韩军 邓军 邹德恕 康玉柱 丁亮 沈光地北京工业大学北京光电子技术实验室北京100124 
提出用AlGaAs材料为n型下DBR,AlGaInP材料为p型上DBR,GaInP/AlGaInP多量子阱为有源区来制备650 nm波长的共振腔发光二极管(RCLED).用传输矩阵法对器件的结构进行了理论设计,并制备了RCLED和普通LED两种结构.测试结果表明,RCLED有更高的...
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家用摄像机附件及选用
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《电子世界》2002年 第7期 10-11页
作者:康玉柱 
现在拥有家用摄像机的消费者越来越多,为配合摄像机完成拍摄任务还必须有其它附件的支持,这些附件包括摄像机一般使用时的必要附件(随机附件或标准附件),以及为使摄像机的功能得以充分运用,更好地利用摄像机进行艺术创作而配置的选用附...
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可见光共振腔发光二极管原理及发展概况
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《激光与光电子学进展》2008年 第12期45卷 25-29页
作者:杨臻 李建军 康玉柱 宋小伟北京工业大学北京光电子技术实验室北京100124 
共振腔发光二极管(RCLED)是一种新型发光二极管(LED)结构,同时具备了传统LED和垂直腔面激光器(VCSEL)两者的优点,具有良好的应用价值和广阔的市场前景。介绍了RCLED的基本原理和结构,以及器件结构的设计要点,指出发射波长650nm的RCLED...
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