摘要：采用液相原位表面修饰技术,分别制备了胺基、巯基功能化的大孔结构纳米二氧化硅材料(SiO_(2)-N和SiO_(2)-S),分析了SiO_(2)-N和SiO_(2)-S的结构,并考察了其对重金属离子的吸附性能,通过XPS、Zeta电位探究了其吸附机制。结果表明:制备的SiO_(2)-N和SiO_(2)-S具有较大的孔径,分别为30.02和27.04 nm,对Pb(Ⅱ)、Cd(Ⅱ)的最大吸附量分别为104.8和85.0mg/g;SiO_(2)-N和SiO_(2)-S与重金属离子的配位机制符合内层配位模型,且SiO_(2)-N和SiO_(2)-S对重金属离子具有较好的选择反应性,共存离子对SiO_(2)-N和SiO_(2)-S的重金属吸附性能无明显影响。大孔结构二氧化硅材料制备工艺简单、易批量生产,较同类纳米材料成本大幅度降低,具有较好的应用前景。

摘要：通过分析地铁车站的客流特性,优化地铁车站步行设施的设计,可以提升新建地铁车站的服务水平。本文通过对不同类型、不同路段地铁车站的客流状态的调查,重点分析了地铁车站通道、楼梯、自动扶梯等步行设施的客流特性,并提出地铁车站步行设施参数的设计建议。

摘要：采用双沟道结构和GaAs衬底,成功设计研制了双沟道实空间电子转移晶体管.它具有RSTT典型的"Λ"形负阻I-V特性和较宽的平坦谷值区.通过栅压可改变各种负阻参数值,当栅压从0.6V增至1.0V时,PVCR的变化范围是2.1～10.6,峰值电流跨导约为3×10-4S.负阻参数VP,VV和开始产生负阻的栅极阈值电压都小于国际上同类器件的报道值,因此更适合低功耗的运用.

摘要：利用硅双基区晶体管(DUBAT)产生负阻的原理,针对HBT器件结构和MBE材料结构的特点,设计并研制出一种基区刻断结构的负阻型HBT(NDRHBT).经过特性和参数测试,证明此种NDRHBT具有显著的微分负阻效应,并发现负电流区负阻效应和光照可改变其IV特性,器件模拟结果和测试结果基本一致.

摘要：在机床装配过程中，经常会遇到不同型号、不同长短的铜管需要被握制成不同角度后安装在机床上，过去是靠人力握制这些铜管，即费力、费工而且握制的铜管也不美观。为此，我们设计了一种工具，可以很快且省力地握制不同的铜管。

摘要：为保证90°V型导轨零件的高精度加工要求,设计了一种平面磨削夹具,文中重点介绍了该平面磨削夹具的结构、特点及操作方法。