摘要：介绍了一种Ku波段五位数字移相器,采用PIN二极管作为开关原件,描述了:PIN二极管的开关原理,并给出了电路设计方案及仿真结果.五位移相器由11.25°,22.5°,45°,90°及180°五个移相单元构成,其中11.25°,22.5°,45°采用改进的加载线型结构,90°,180°采用改进的开关型结构,同时还研究了调节支路引入前后对电路性能的影响.移相器频率范围为13.2-14.8GHz,频宽为1.6GHz,驻波比小于1.72,插入损耗小于1.55dB,回波损耗优于12dB,仿真结果表明,各项指标达到设计要求.

摘要：提出了一种In_(0.4)Ga_(0.6)N/GaN同型异质结构IMPATT二极管。传统GaN基IMPATT器件中存在P型GaN制造工艺不成熟的问题,本研究方案可成为GaN基IMPATT器件的替代设计方案。详细研究了In_(0.4)Ga_(0.6)N/GaN异质结和PN结两种不同结构IMPATT二极管的直流、交流输出特性。结果表明,In_(0.4)Ga_(0.6)N/GaN IMPATT二极管在不使用P型GaN的情况下,可达到优于传统PN结IMPATT二极管的性能。

摘要：利用p型宽带隙材料SiC替代p型GaN,制作了一种p-SiC/n-GaN异质结双漂移(DDR)IMPATT二极管。对器件的交流大信号输出特性进行数值模拟仿真。结果表明,相比传统GaN单漂移(SDR)IMAPTT二极管,p-SiC/n-GaN新结构DDR器件的击穿电压、最佳负电导、交流功率密度和直流-交流转换效率都获得了显著提高,器件具有更宽的振荡频带。该器件新结构在交流功率密度方面具有显著的应用潜力,交流功率密度达到1.97 MW/cm;。该二极管是基于宽带隙半导体材料设计,这为GaN、SiC材料IMPATT器件的设计与制造提供参考价值。