摘要：在面板设计中,数据线负载较大会引起信号延迟时间长、源IC温度过高、功耗上升等不利后果。随着面板尺寸增大以及分辨率升高,数据线负载高造成的不良影响愈加严重。本文提出了一种倒置U型的像素TFT结构,区别于传统的U型TFT设计,将像素TFT的源极与漏极形状互换,可以降低数据线与栅线的交叠面积,进而降低数据线负载电容。将这种像素设计搭载23.6HD ADS产品进行了实验验证,结果表明,采用倒置U型TFT设计面板的光学参数与传统U型设计面板基本一致,数据线负载电容下降24%,功耗下降10%,源IC温度下降7.1%。

摘要：手指滑动ADS(Advanced Super Dimension Switch)液晶面板的L255画面时,由于按压导致的液晶分子形变和电场作用,滑动位置亮度会降低,表现为留下发暗的按压的痕迹。如果该痕迹在按压5 s后不能恢复,我们称之为划痕Mura(Trace Mura)。本文通过对比5种不同像素设计的液晶面板的滑动按压实验的结果,得到了像素电极设计、驱动电压对Trace Mura的影响;进一步模拟分析液晶分子状态,得到判断不同像素设计的Trace Mura风险的模拟方法。主要结论如下首先,像素电极尾部设计对于Trace Mura改善方面,弧角设计优于切角设计,切角设计优于开口设计;像素电极间距(Space)越小,Trace Mura风险越小。其次,Trace Mura需要在高灰阶电压下按压划动液晶面板才能发生;而发生Trace Mura的液晶面板,可以通过降低液晶面板的电压灰阶来消除按压痕迹。最后,对比液晶分子状态模拟结果,确认在电极末端的液晶分子方位角会发生突变(即向相反方向偏转),模拟的突变角度在-15°以上,预测有Trace Mura风险。

摘要：里弄建筑文化是上海城市文化的重要组成部分,探索对其的保护传承方式对当今上海文化品牌建设具有重要意义。溯源里弄建筑文化,分析里弄建筑文化与上海城市文化的融合发展;探讨里弄建筑文化传承创新转化为文化产业的发展途径;解读里弄建筑文化的社会价值及其融合下的经济价值。里弄建筑文化的传承不仅依赖于其蕴含的人文内涵,而且依附于上海城市的发展。里弄建筑保护与文化产业的融合发展趋势,为其当代的传承形态提出新的思考方向。

摘要：研究了TFT-LCD中像素电极与数据线之间的耦合电容(C_(pd))对显示画质的影响,分析了像素电极发生偏移后显示面板产生横纹不良的机理。研究结果表明,像素电极发生偏移后,数据线与左右两侧像素电极之间的C_(pd)耦合电容大小产生差异,造成相邻行间的像素发生不同方向的电压跳变。实际观察结果显示,当两行像素的亮度差异大于8个灰阶时,即会出现明显可见的横纹不良。提出了一种横纹不良改善方案,通过增加像素电极跨越数据线的条状设计结构,利用二者之间的交叠电容变化来补偿耦合电容的变化。模拟结果显示,当像素电极偏移1.2μm时,相邻行像素的亮度差异为6个灰阶,无水平横纹不良的产生。新型像素结构的开口率无损失,充电率满足产品设计要求,表明此方案可应用于产品设计中。

摘要：大尺寸、高分辨率(4K:3840×2160、8K:7680×4320)、高透过率和高性价比是TV产品发展的主要方向。先进的超级多维场开关(ADS)双栅线4K阵列基板栅极(Gateon Array,GOA)产品是目前主流的TV产品之一,因产品分辨率高和双栅线结构,像素尺寸较小且开口率较低,加之常规ADS双栅线像素结构在两个子像素中间的暗区较大,导致面板透过率较低,影响产品特性和竞争力。本文在常规ADS双栅线像素结构基础上,改变两层电极的功能,使底层电极作为像素电极,顶层电极作为公共电极,同时顶层电极在两个子像素面内采用联通设计,减小有效电场弱区和像素暗区,提升像素光效和透过率。模拟和试验结果表明:新型ADS双栅线像素设计可以提升面板透过率约3%。且光学、电学、机械和信赖性等评价无问题,可实际应用于产品,提高产品价值和竞争力。

摘要：描述了两管TFT-OLED像素电路的结构和驱动原理。利用HITACHI公司的TFT-LCD驱动芯片HD66773R,结合单片机的控制来驱动176×396点阵的TFT-OLED屏,介绍了显示模块的结构和HD66773R功能原理。结合HD66773R功能原理,设计了单片机和HD66773R硬件接口电路,详细描述了软硬件的设计方法和注意事项,并给出了单片机的软件流程图。

摘要：众多广视角技术中,高级超维场转换技术(Advanced Super Dimension Switch,ADS)具有高分辨率、高透过率、低功耗、宽视角、高开口率、低色差、无挤压水波纹(Push Mura)等优点。与垂直取向(Vertical Aligned,VA)模式相比,ADS模式存在对比度(Contrast Ratio,CR)偏低的问题。本文主要从设计及材料两个方面对ADS显示模式超高清(Ultra High Definition,UHD)产品对比度提升进行研究。与传统的产品相比较,在设计方面采用了高透像素设计,在提升L255亮度的同时,保证L0亮度不变;同时开发了一种低散射液晶,降低L0亮度,明显改善对比度。将高透像素设计搭载55UHD和49UHD ADS产品进行了实验验证,将低散射液晶搭载49UHD ADS产品进行了实验验证。结果表明,采用高透像素设计的面板与传统设计面板相比,对比度提升约8.3%;采用高对比度液晶的面板的与传统设计面板相比,对比度约提升22%。二者共同作用,UHD产品对比度提升约30%。

摘要：分析了a-Si∶H-TFT阈值电压漂移的机理,即分析了栅偏应力下电荷注入到SiNx∶H栅绝缘层和a-Si∶H中亚稳态的产生对TFT阈值电压漂移的影响。根据非晶硅中亚稳态产生的特点,并针对驱动OLED的两管a-Si∶H-TFT像素电路,提出了一种通过对数据信号时序的重新设计来补偿阈值电压漂移的方法,即在数据信号间加插一个与数据信号极性相反的补偿信号。通过这种正负交替的信号,使驱动管TFT中由亚稳态造成的阈值电压漂移始终保持在一个动态平衡的过程,来实现驱动OLED电流稳定的目的。

摘要：L0周边Mura是TFT-LCD的一种常见缺陷。本文对L0周边Mura发生原因进行分析,发现真空对盒工艺进行过程中玻璃基板表面受力不均使力学合成力较少的局部位置发生形变并引起液晶屏周边区域盒厚波动,产生不良。采用辅助封框胶开环方式,主封框胶内外两侧压差趋于平衡,L0周边Mura发生率大幅降低;而通过优化辅助封框胶工艺有效地解决了周边区域力学失衡难题,不良发生率降至0.3%,改善效果明显。此外,周边优化设计方案有助于新产品开发阶段避免该不良发生。

摘要：a-Si∶H/SiNx∶HTFT在长时间栅偏应力作用下,会产生阈值电压漂移,这主要是由绝缘层电荷注入和有源层亚稳态产生而引起的。针对电荷注入现象,文章首先通过控制源气体SiH4和NH3流量的不同,利用PECVD制作了不同N/Si比(0.87～1.68)的氮化硅绝缘材料,对其进行了椭偏、红外和光电子散射能谱(EDS)测试。制作了不同的MIS结构电容,对其进行老化实验和C-V测试分析,结果表明稍富氮(N/Si比稍大于标准Si3N4的化学计量比1.33)的氮化硅做成的MIS样品在老化前后C-V曲线偏移不是很明显,表明其缺陷态密度相对较小,能够有效减小半导体/绝缘层界面间的电荷注入。设计了驱动OLED的2-a-Si∶HTFT像素电路及其阵列版图,优化了电路中的几个关键参数,即T1的W/L=2.5、T2的W/L=25和存储电容Cs=0.8pF。运用7PEP生产工艺,制作了13cm(5.2in)的TFT阵列样品。对TFT进行I-V特性测试,其开态电流为10μA,开关比为106;对AMOLED显示屏样品进行了静态驱动下的亮度测试,其最高亮度为341cd/m2。