摘要：为了解决软击穿导致的压控磁各向异性磁隧道结(voltage-controlled magnetic anisotropy magnetic tunnel junction,VCMA-MTJ)及其读电路性能下降的问题,在对VCMA-MTJ软击穿机理深入分析的基础上,修正了VCMA-MTJ的电学模型,设计了一种具有固定参考电阻的VCMA-MTJ读电路和一种具有参考电阻调控单元的VCMA-MTJ读电路,研究了软击穿对VCMA-MTJ电阻R_(t)、隧穿磁阻比率M、软击穿时间T_(s)以及VCMA-MTJ读电路读错误率的影响。结果表明:软击穿的出现会导致R_(t)和M均随应力时间t的增加而降低,T_(s)随氧化层厚度t_(ox)的增大而缓慢增加,却随脉冲电压V_(b)的增大而迅速减少,与反平行态相比,平行态的T_(s)更短且M降低50%所需时间更少;具有固定参考电阻的VCMA-MTJ读电路可有效避免读“0”错误率的产生,但读“1”错误率却随t的增加而上升,而具有参考电阻调控单元的VCMA-MTJ读电路可在保持读“0”正确率的同时,对读“1”错误率改善达54%,在一定程度上削弱了软击穿对VCMA-MTJ读电路的影响。

摘要：张万荣笔名川叶，出生江西省景德镇，江西工艺美术学院毕业，高级工艺美术师。获得第二届“御窑杯”艺术陶瓷创新大赛银奖。《乡韵》被中国民族博物馆收藏。

摘要：多端直流输电系统是实现多个能源、负荷中心跨区域互联的有效技术,在技术性和经济性等方面都具备较强竞争力。笔者以我国企业承建、目前在建的某项海外多端直流输电工程为例,进行多端直流输电工程交流滤波器设计与无功补偿研究。该工程中某换流站是弱交流系统,对电压稳定性要求较高,标称频率为60Hz,设计交流滤波器时采用依照北美惯例的性能指标—IT乘积。介绍了多端系统与双端系统差异,IT乘积的计算假设回路结构,在此基础上针对换流站弱交流系统设计出满足性能要求的交流滤波器,并进行无功补偿研究。研究结果对最终确定实际工程交流滤波器方案具有一定的参考作用。

摘要：文章介绍了人工智能神经网络技术及其微波应用课程的内容设置与教学改革方法。该课程通过深入介绍微波电路设计原理以及人工智能技术在其中的应用方法,旨在培养学生在高频电路设计领域的创新能力,掌握科学原理和科学方法,熟练使用微波电路设计EDA工具和人工智能技术,以及解决实际工程问题的能力。为了实现教学目标,课程采用多种教学方法,包括多媒体教学手段、虚拟实验室引入、线上线下相结合的学习模式以及项目实践等,以提高学生对微波电路设计原理的理解,增强他们的实际操作能力,并培养解决实际问题的综合能力。此外,文章还强调了教学方法的评估和调整的重要性,以确保教学方法与学生需求相匹配,不断提升教学质量。

摘要：0引言随着我国社会经济的快速发展和人民生活水平的不断提高，人们对于居住环境的舒适性也有了更高的要求。其中，对于家用空调产品在使用功能上，不仅要求其制冷（制热）能力强劲，还要求噪声低、舒适且无令人不愉快的一切异常声音。这对于空调产品在整体设计上也提出了更高的要求。

摘要：为了在高频下兼顾电流增益β和击穿电压V_(CBO)、V_(CEO)的同步改善,从而有效提升器件的高频功率性能,利用SILVACO TCAD建立了npn型绝缘层上硅(silicon-on-insulator,SOI)基横向硅锗(SiGe)异质结双极晶体管(heterojunction bipolar transistor,HBT)的器件模型.研究结果表明:通过基区Ge的摩尔分数的梯形分布设计,可在基区引入电子加速场,并减小有效基区宽度,一方面有利于缩短基区渡越时间,提高器件的特征频率f_(T);另一方面也有利于降低电子在基区的复合,提高基区输运系数,从而增大β.然而,在基区Ge的物质的量一定的情况下,随着Ge的摩尔分数的梯形拐点位置向集电结一侧不断靠近,集电结一侧对应的Ge的摩尔分数也将随之增加,此时,器件的集电极电流处理能力将显著下降,因此,需对摩尔分数值进行优化.同时,通过在衬底施加正偏压的衬底偏压结构设计,可在埋氧层上方形成电子积累层,提高发射结注入效率,从而增大β,但会退化击穿特性.进一步通过优化衬底偏压结构,设计出了兼具复合衬底偏压结构和基区Ge的摩尔分数的梯形分布设计的SOI基横向SiGe HBT.结果表明,与常规器件相比,新器件在保持峰值特征频率f_(Tm)=306.88 GHz的情况下,峰值电流增益βm提高了84.8,V_(CBO)和V_(CEO)分别改善了41.3%和21.2%.

摘要：设计了一款具有电阻反馈的新型超宽带（UWB）SiGe HBT低噪声放大器（LNA）。因为摒弃了使用占片面积大的电感，所以极大节省了放大器的芯片面积和制作成本。在新型放大器的反馈支路中，使用了复合分布式电阻和隔直流电容，代替了传统的单一电阻。用这种方式设计的LNA，仅通过调整与电容串联的电阻就可以极大地改善放大器的端口匹配，同时不牺牲偏置。最终设计出的LNA版图面积仅为0．144mm^2。仿真实验显示，在3．1—10GHz超宽频带内，新型UWB LNA实现了低于4．5dB的噪声系数、高达20dB的增益（增益平坦度仅为1．032dB），小于1．637的输出端驻波比，大于2．3的稳定因子。此研究成果对设计开发低成本、高性能的单片UWB LNA具有重要指导意义。

摘要：该文设计和制作了一款单片集成硅锗异质结双极晶体管(SiGe HBT)低噪声放大器(LNA)。由于放大器采用复合型电阻负反馈结构,所以可灵活调整不同反馈电阻,同时获得合适的偏置、良好的端口匹配和低的噪声系数。基于0.35μm Si CMOS平面工艺制定了放大器单芯片集成的工艺流程。为了进一步降低放大器的噪声系数,在制作放大器中SiGe器件时,采用钛硅合金(TiSi2)来减小晶体管基极电阻。由于没有使用占片面积大的螺旋电感,最终研制出的SiGe HBT LNA芯片面积仅为0.282mm2。测试结果表明,在工作频带0.2-1.2GHz内,LNA噪声系数低至2.5dB,增益高达26.7dB,输入输出端口反射系数分别小于-7.4dB和-10dB。

摘要：高等学校有其特定的结构和功能,校园绿化是高等学校环境建设的重要组成部分。通过对高等学校结构模式的分析,结合已建高等学校校园绿化的成功实例,提出了高等学校校园绿化应体现现代高等学校特点和校园文化特色,形成充满生机和活力的现代高等学校校园环境,满足师生学习、活动、交流与休闲的需要的指导思想和以人为本、亲切宜人,体现特色、寓意于教,突出重点、兼顾一般,以绿为主、注重造景,因地制宜、适地适树的设计原则,并阐述了高等学校校园分区绿化的设计思路。

摘要：石材是园林驳岸中使用历史最悠久也是最广泛的材料。研究分析石材在驳岸中的应用形式,阐述每种驳岸形式的具体做法和注意事项,并相互比较,总结各自不同形式的优缺点和适用场所,为风景园林设计师提供一个很好的借鉴。