摘要：提出了一种具有较高增益和稳定性的片上低压差线性稳压器(LDO),可为高速变化的逻辑和驱动电路提供快速响应的电压。该两级级联输出的LDO基于0.18μm BCD工艺设计,工作在9.5~15.5 V宽电源电压范围内,并且具有较好的相位裕度、较高的响应速度以及较好的线性调整率,能够满足芯片内部多个电源轨的供电需求。采用Cadence仿真并进行了流片试制,仿真和测试结果表明,该LDO主环路在全负载范围内具有较好的相位裕度,输出电压纹波较小。在输入电压为9.5~15.5 V时,两级LDO的输出电压分别稳定在4.53 V和1.80 V,具有较好的线性调整率。LDO用于GaN驱动芯片时,能稳定地为逻辑和驱动等模块提供电源电压。

摘要：介绍了一种在JFET区域采用浅槽N型重掺杂降低器件比导通电阻与开启损耗的1200 V碳化硅平面栅MOSFET器件。采用浅槽结构设计,减小了器件栅源电容C_(GS)及栅漏电容与栅源电容比值C_(GD)/C_(GS),降低了器件的开启损耗。浅槽下方采用的N型重掺杂使得器件反型层沟道压降明显提高,使器件获得了更低的比导通电阻。仿真结果表明,相比于平面栅MOSFET器件,开启损耗降低了20%;相比于平面栅MOSFET与分裂栅MOSFET,器件比导通电阻分别减小了14%和17%。