摘要：提出一种可用于亚微米金属氧化物场效应晶体管的器件模型,它兼具了形式简洁和精度相当于BSIM3模型的特点,在此基础上讨论了器件电性能与结构之间的关系.设计结果与实验结果符合良好.

摘要：为降低传感器网络节点的功耗,针对传感器网络应用中传感器节点休眠时间的功耗进行了分析,得出当传感器节点处于休眠状态时,其大部分功耗都是由实时计数器消耗的结论,并提出一种应用在传感器网络、采用电荷可回收逻辑电路结构的低功耗16位实时计数器.采用0.18μm的互补金属氧化物半导体工艺设计并制作了一块样片.实验结果表明,当16位实时计数器的工作频率为100kHz时,新结构的功耗为27nW,而采用传统结构的实时计数器的功耗则为140nW.

摘要：为了降低双极型工艺中二极管对相位噪声的影响,实现了一种工作在K波段的全集成差分压控振荡器.该振荡器基于砷化镓异质结双极晶体管工艺来实现,电路采用改进的π形反馈网络来提高振荡回路的品质因数,降低了压控振荡器的相位噪声,并补偿了电路本身存在的180°相位偏移.芯片的频率变化范围为23.123GHz到23.851GHz,最大输出功率为-1.68dBm;整个电路由-6V的电源供电,直流功耗为72mW,控制电压为-3V时相位噪声为-103.12dBc/Hz@1MHz,芯片面积为0.49mm^2.文中采用的电路结构能够降低双极型工艺中二极管对压控振荡器相位噪声的影响,在不牺牲压控振荡器调谐宽度的情况下可实现低的相位噪声.

摘要：本文提出了新的模拟HBT性能的流体动力学传输模型，考虑了能量（动量）方程中的各个物理量，不同能谷散射对能量弛豫时间影响以及异质结能带的各种效应．分析了发射结和基区Al组分的缓变与AlGaAs／GaAsHBT性能的关系，提出了器件优化设计的原则．

摘要：在分析硅衬底上射频螺旋电感物理模型的基础上,从几何参数、工艺参数及电感组成形式考虑,用模拟软件ASITIC(Analysis and Simulation of Spiral Inductors and Transformers for ICs)对影响电感值和 Q值及谐振频率的各参数进行全面详尽的模拟,得出了几条实用的设计原则且用此模拟方法与所得结论均可有效地指导射频集成电路中集成电感的设计。

摘要：分析了延迟击穿二极管(DBD,delayedbreakdowndiode)的物理机理。从该器件在负载上的输出脉冲幅度及上升时间两方面综合考虑,通过改变器件结构参数和物理参数(长度、面积、掺杂浓度、激励源等),模拟研究了不同激励源及不同负载情况下DBD特性的变化情况。结果表明:上升时间对于面积和负载电阻均存在极小值,设计时面积和负载电阻应该选取该极值点对应的最佳值。n区长度存在最佳值,理论上应为器件加载在所需临界击穿电压值而且刚好处于穿通状态时的长度值;p+区和n+区的长度没有太大的影响,但应稍大于各自的穿通长度,浓度则尽量高;n区掺杂浓度越低越好,对激励源要求电流稍高于临界条件即可。

摘要：采用压缩式双共轭梯度算法分析大规模电源/地线网络.首先以稀疏存储结构对大规模的系数矩阵进行压缩处理,然后采用双共轭梯度算法对网络进行模拟.双共轭梯度算法采用2组共轭向量组作为搜索方向,收敛速度快.实验数据表明:在保证精度的情况下,该算法在加快电路网络分析求解效率的同时,大幅度地节省了计算所占用的内存,它适用于分析超大规模的电源/地线网络.

摘要：介绍了微组装热分析软件（ＭＣＡＴＡ）的热模型和数值算法，提出将环境作为一个网格节点，使热传输的三种形式及边界条件能用统一的离散化方程表示，并讨论了热传导方程离散化的原则及界面导热系数的计算方法，最后给出了计算实例。

摘要：A compact Ka-band monolithic microwave integrated circuit(MMIC) voltage controlled oscillator (VCO) with wide tuning range and high output power,which is based on GaAs PHEMT process,is presented.A method is introduced to reduce the chip size and to increase the bandwidth of *** procedure to design a MMIC VCO is also described *** measured oscillating frequency of the MMIC VCO is 36±1.2GHz and the output power is 10±*** fabricated MMIC chip size is 1.3mm×1.0mm.

摘要：文章介绍了20位、5V单电源过采样∑-△A/D转换器,根据精度与阶数和过采样比的关系,设计了4阶蒡-驻调制器。在∑-△调制器中添加了局部负反馈,使转换器能对满量程(FS)输入信号进行精确转换;在梳状滤波器后面添加了补偿电路,补偿梳状滤波器在基带内的衰减,使基带内的纹波小于0.001dB。本电路采用0.6滋mCMOS工艺,电路的结构和精度通过了HSPICE、STAR-SIM等EDA软件的验证。