摘要：本文提出了一种高可靠性的闪存字线驱动电路,为闪存编程或擦除操作提供负高压或正高压。该电路采用隔离稳压技术,隔断了与输出端存在竞争的下拉通路,有效克服了电平转换电路中普遍存在的电压竞争问题,使得输出端准确输出所需编程/擦除电压,保证电路工作稳定可靠。通过合理设计MOS管尺寸,该电路还具有较强的负载驱动能力,可以有效消除由于存储容量大而带来的巨大字线寄生电容的影响,仿真结果显示,即使驱动3pf的大电容,电路仍可以保证正常功能。

摘要：目前,降低功耗已成为超大规模集成电路的一个重要的发展方向。而通过降低片上系统电源电压来降低功耗是目前普遍使用的一种方法。为了给存储器的编程、擦写过程提供高电压,必须在低电源电压的输入状态下提高电荷泵的输出电压,但也导致每级电荷泵节点电压大幅上升,使得MOS体效成为降低电荷泵输出效率的主要因素。本文设计了一种四相位电荷泵电路,消除了MOS体效应导致的阈值电压上升的影响,提高了电荷泵电路的电压增益。在相同的低电源电压下,本文所设计的电荷泵电路可以大幅的减少电荷泵的级数和所消耗的芯片面积,该电路特别适用于低电源电压下工作的嵌入式快闪存储器。

摘要：在传统静态随机存储器(SRAM)读操作跟踪电路中,生产工艺和温度的偏差会直接影响到对SRAM中存储数据的正确读取。因此,在本文中,我们采用工艺拐点补偿和温度补偿的方法,设计出了新型SRAM读操作跟踪电路。所设计跟踪电路,通过在不同工艺拐点和不同温度的情况下,对时序追踪字线DBL补偿不同大小的电流,从而减小灵敏放大器输入位线电压差对工艺拐点和温度的敏感度。有效减小了工艺拐点和温度对于SRAM读操作的影响,提高了SRAM的良率。基于SMIC 40nm CMOS工艺,对上述读操作跟踪电路进行了仿真,并且分别对补偿前后进行了10000次蒙特卡罗仿真与比较,仿真结果验证了所设计电路的可靠性和有效性。

摘要：弹载雷达干扰机的天线要求体积小、宽频带、高增益,且耐受功率大,对天线的结构设计提出了更高的要求。对一种弹载大功率雷达干扰天线的结构设计特点进行了分析,从天线组成原理、馈电结构形式、材料选择、电磁场仿真分析等方面进行了详细描述。采用小型化、一体化的综合设计以适应弹载平台需要,并通过大功率辐射试验验证设计的正确性。