摘要：宽温区大电流下的热不稳定性严重制约着功率SiGe异质结双极晶体管(HBT)在射频和微波电路中的应用.为改善器件的热不稳定性,本文利用SILVACO TCAD建立的多指功率SiGe HBT模型,分析了器件纵向结构中基区Ge组分分布对微波功率SiGe HBT电学特性和热学特性的影响.研究表明,对于基区Ge组分为阶梯分布的HBT,由于Ge组分缓变引入了少子加速电场,使它与均匀基区Ge组分HBT相比,具有更高的特征频率fT,且电流增益β和fT随温度变化变弱,这有利于防止器件在宽温区工作时电学特性的漂移.同时,器件整体温度有所降低,但器件各指温度分布均匀性较差.考虑多指HBT各发射极指散热能力存在差异,在器件纵向结构设计为基区Ge组分阶梯分布的同时,对其横向版图进行发射极指间距渐变结构设计,用于改善器件各指温度分布的均匀性,进而提高HBT的热稳定性.结果表明,与基区Ge组分为均匀分布的等发射极指间距结构HBT相比,新器件各指温度分布均匀性明显改善,fT保持了较高的值,且β和fT随温度变化不敏感,热不稳定性得到显著改善,显示了新器件在宽温区大电流下工作的优越性.

摘要：基于Jazz 0.35μm SiGe HBT工艺,设计了一种宽动态范围的可变增益放大器(VGA)。放大器由三级级联结构构成,分别为输入级、增益控制级和输出级。采用新提出的增益控制结构,实现了较宽的增益动态范围。采用安捷伦的ADS仿真工具,对设计的电路进行仿真验证。结果表明,当控制电压从1.5V到3.0V变化时,VGA的增益在-39～30dB范围内连续变化,S11和S22在整个电压变化范围内均小于-11dB,3dB带宽超过600MHz;最大增益时,噪声系数小于5dB。

摘要：基于TSMC 0.18μm CMOS工艺,设计了一款工作在3 GHz^5 GHz频段的增益可调超宽带低噪声放大器(LNA)。LNA输入级采用局部反馈的共栅结构,实现了超宽带输入匹配和良好的噪声性能;放大电路级采用提出的新型电流舵结构,实现了放大器增益连续可调;输出级采用源极跟随器,获得了良好的输出匹配。利用ADS2009进行仿真验证,结果表明,在3 GHz^5 GHz工作频段内,LNA获得了25 dB的增益可调范围,最高增益达到24 dB,输入端口反射系数小于-11 dB,输出端口反射系数小于-14 dB,最小噪声系数为2.3 dB,三阶交调点(IIP3)为4 dBm,在1.2 V电压下,电路功耗仅为8.8 mW。

摘要：采用可调谐有源电感复用结构，设计了一款用于3GTI）-SCDMA和WLAN的2．4GHz／5．2GHz双频段低噪声放大器（DBLNA）。2．4GHz频段电路采用折叠共源共栅（FC）结构，5．2GHz频段电路采用共栅（CG）结构。FC和CG结构均采用可调谐有源电感，通过调谐有源电感的等效阻抗，优化匹配到源阻抗。基于TSMC0．18μmCMOS工艺，实现了有源电感复用型DB-LNA。ADS仿真结果表明，频率为2．4GHz时，S21—35dB，NF一4．42～4．59dB，IIP3—0dBm，P-1dB-14dBm频率为5．2GHz时，S21=34dB，NF=2．74～2．75dB，IIP3=-5dBm，P-1dB=-9dBm。

摘要：基于CMOS有源器件和传输线,提出了一款面积小、电感值大、品质因子(Q)高的超宽带可调有源电感电路拓扑。该有源电感利用CMOS有源器件级联反馈结构提供偏置,采用负阻补偿网络补偿有源电感正电阻损耗,增大了Q值,同时也实现了对有源电感器电感值的调谐。采用TSMC 0.35μm CMOS工艺,设计并实现了有源电感的电路和版图。ADS仿真验证表明,在3.1～5.2GHz工作频率范围内,随外部偏置的不同,等效电感值的可调范围为1.65～4.06nH(在3.1GHz下)和0.06～40.9nH(在5.2GHz下),Q值最小达到1 002.9,面积仅为65×86(μm2)。

摘要：提出了一种基于有源可调衰减器的超宽带可变增益放大器,以有源可调衰减器作为可变增益放大器的核心,并与高增益放大器级联,在3.1～10.6GHz超宽频带内实现了宽动态增益调节范围。基于Jazz 0.35μm SiGe HBT工艺,完成了超宽带可变增益放大器的设计,利用安捷伦公司的ADS仿真软件进行仿真验证。结果表明,在3.1～10.6GHz的超宽频带内,当电压在0.7～2.0V的范围内变化时,该放大器的动态增益变化范围大于60dB,3dB带宽大于7GHz,在整个电压变化范围内,S11和S22均低于-10dB,在最大增益处,噪声系数小于5dB。

摘要：研究了气体渗氮层和激光淬火/渗氮层的N分布、微观结构、显微硬度及脆性。结果表明,激光淬火后的组织晶粒细小,晶界和位错、孪晶等缺陷数量增加,而N在晶界和缺陷处扩散激活能降低,使N的扩散速度和扩散通量提高,渗氮层厚度增加;同时渗氮层晶粒细小致密,细小的高硬度的Cr2N颗粒数目增加,使显微硬度值显著提高,渗氮层脆断的临界压力由气体渗氮层的3 N提高到激光淬火/渗氮层的6 N。

摘要：【目的】湛江某污水厂处理能力不能满足区域内污水量增加,需扩建8万t。【方法】结合现状条件,综合比较MBR和MBBR+双层沉淀池+磁混凝两种方案,考虑进水总磷达17.55 mg/L,会使膜清洗频率增大,减少膜寿命,增加运行成本。因此,采用“MBBR+沉淀池+磁混凝”核心处理工艺。厂区主要构筑物贴建,进一步减少用地。【结果】水厂于2021年投产运行,出水可稳定达标。【结论】泥膜复合工艺+双层沉淀池+磁混凝可解决扩建用地紧张问题,运行成本约0.87元/m3。