摘要：为了促进密码算法的设计和实现,中国密码学会(CACR)于2018年举办全国密码算法设计竞赛,其中FBC算法是晋级到第二轮的十个算法之一.FBC有三个版本,即FBC128-128、FBC128-256和FBC256-256,分别能够支持128比特和256比特长度的明文和密钥.FBC算法采用4路两重Feistel结构设计,便于硬件实现.本文利用中间相遇的截断差分构造方法,针对FBC加密算法,为FBC-128算法构造了11轮概率为2^(-108)的截断差分路线,基于该区分器,对FBC-128算法第一次给出15轮密钥恢复攻击,其中攻击的数据复杂度为2^(99)选择密文,时间复杂度是2^(100)次15轮加密,比已有的分析结果提高了3轮.对于256比特分组长度的FBC-256算法构造了15轮概率为2^(-236)的截断差分路线,基于该区分器,对FBC-256算法给出了20轮密钥恢复攻击,攻击的数据复杂度为2^(227)选择密文量,时间复杂度是2^(222.6)次20轮加密.

摘要：FBC是一种轻量级分组密码算法,由于结构简单、软硬件实现灵活等优点成为2018年中国密码学会(CACR)举办的全国密码算法设计竞赛中晋级到第2轮的10个算法之一.FBC密码包含3个版本支持128和256两种比特长度的明文分组以及128和256两种比特长度的密钥,本文主要对分组长度128位的两个版本进行分析.我们基于SAT(Boolean satisfiability problem)模型对FBC的差分特征进行自动化搜索,得到了新的14轮差分路线,概率为2^(-102.25).基于此路线我们给出了18轮FBC128-128和20轮FBC128-256差分分析,并且在分析过程中给出了复杂度估计.对于18轮FBC128-128差分分析,时间复杂度和存储复杂度分别为2^(101.5)和2^(52).对于20轮FBC128-256差分分析时间复杂度和存储复杂度分别为2^(184)和2^(96).

摘要：随钻方位侧向仪器工作时,由于钻铤长度较长,使表面电位衰减严重,钻铤流出的电流会产生轴向分量,不能严格垂直于钻铤表面流出,导致测量结果不准确。针对该问题,根据方位侧向电阻率成像随钻测井仪(RIT)的电极结构,设计5种软聚焦工作模式,并给出不同工作模式下的方位侧向电极电流和视电阻率的计算表达式;软聚焦工作模式可模拟不同源距的对称天线同时工作,以保持钻铤表面等电位,并通过线性叠加差值近似的方法获得更精确的轴向电流。通过三维有限元方法计算不同软聚焦工作模式在渐变薄互层的响应,并与原始测井响应进行对比,结果表明软聚焦方法能平滑单个发射天线界面处存在的尖峰现象及台阶现象,对薄层的识别及视电阻率计算更加准确,对仪器实际测井数据资料解释有一定的指导意义。

摘要：“双碳”理念是指生物圈和大气圈之间碳元素循环的重要概念,强调碳元素在地球生态系统中的相互作用和平衡。通过渗透“双碳”理念,可以帮助学生理解生物学知识,增强环保意识,并激发学习兴趣。在高中生物教学中,可以在教材编写、教学内容设计和实验教学等方面应用“双碳”理念。为了有效渗透“双碳”理念,教师应扮演引导者角色,利用多媒体教学手段和合适的教学方法,提供丰富的学习资源和激发学生的主动性。通过渗透“双碳”理念,可以提升学生的科学素养和环保意识,促进他们科学思维和创新能力的发展。因此,教育界应重视“双碳”理念在高中生物教学中的应用,并采取相应策略,促进其渗透和传播。

摘要：以一体化思维推进中华民族共同体意识思想政治改革是一项系统全面整体性工程,要运用系统性思维,形成思政课与相关课程相互协同、有机衔接的课程体系。在顶层设计层面,要构建一体化领导决策和管理共同体体系;在保障机制方面,突破传统管理体制,形成德育共同体;在课程评价方面,要建立课程评价的衔接性框架。

摘要：文章基于王寅教授提出的“体认整合论”探讨“赶考”一词的意义建构。分析发现,“赶考”一词通过镜像型、单域型和双域型概念整合网络,发生了语义变化,泛指参加各种考试,表示“比赛”的含义,隐喻“抓住时机、不顾艰辛、艰苦奋斗”,产生了新的新创结构,即“埋头苦干、勇毅前行、不骄傲自满、戒骄戒躁、不忘初心、牢记使命”的赶考精神。

摘要：利用统计分析、生日攻击等方法,针对一类基于混沌系统的带密钥散列函数进行了分析,给出了针对这些算法的伪造攻击和等价密钥恢复攻击。同时,研究了上述攻击奏效的原因,并由此总结了基于混沌技术设计带密钥散列函数时应该注意的问题。最后,提出了一个改进方案,该方案可以抵抗伪造攻击和等价密钥攻击,并且增加的计算负担可以忽略不计。

摘要：对 U TB器件的各结构参数进行了优化 ,给出了 UTB器件设计的指导方向 .在 U TB器件的设计中 ,有三个重要参数 ,即器件的源漏提升高度、锗硅栅 (Gex Si1 - x)中 Ge含量的摩尔百分比和硅膜的厚度 ,并对这三个结构参数对器件性能的影响进行了模拟分析 ,给出了器件各结构参数的优化方向 ,找出了可行 Ge含量的摩尔百分比和可行硅膜厚度之间的设计容区 .通过模拟分析发现 ,只要合理选择器件的结构参数 ,就能得到性能优良的 U

摘要：比较了SOIRF电感与体硅电感的性能 ,并根据模拟结果分析了电感中空面积 ,电感形状结构 ,金属宽度、间距对SOI电感品质因数Q、自谐振频率、电感量L的影响 ,最后提出了一种基于SOI衬底RF电感的优化设计原则 .以往射频集成电感性能的比较并不固定电感值 。

摘要：分析了SOI器件各结构参数对器件性能的影响 ,给出了器件各结构参数的优化方向 ,找出了可行硅膜厚度和可行沟道掺杂浓度之间的设计容区 .在部分耗尽与全耗尽SOI器件的交界处 ,阈值电压的漂移有一个峰值 ,在器件设计时应避免选用这一交界区 .此外 ,随着硅膜厚度的减小 ,器件的泄漏电流随着沟道掺杂浓度的不同 ,有一个极小值 .通过模拟分析发现 ,只要合理选择器件的结构参数 。