摘要：本文采用有限元法对8英寸单晶炉(16寸坩埚)勾形磁场的磁场分布和磁场强度,以及影响磁场强度的线圈匝数、导线面积、线圈间距等因素进行了模拟分析和优化,并依据模拟结果得到磁场结构的优化设计参数。最后通过实验对磁场的设计参数进行了验证,结果表明:磁场分布和磁场强度模拟结果与实际测试结果可较好吻合;磁场的关键参数满足晶体生长的磁场要求;模拟方法是正确的、符合实际的。此方法为磁场设计提供了一种可靠的模拟新方法和经验数据。

摘要：结合SiGe材料的优异性能与超结结构在功率器件方面的优势,提出了一种超结SiGe功率二极管.该器件有两个重要特点:一是由轻掺杂的p型柱和n型柱相互交替形成超结结构,取代传统功率二极管的n-基区;二是阳极p+区采用很薄的应变SiGe材料.该二极管可以克服常规Sip+n-n+功率二极管存在的一些缺陷,如阻断电压增大的同时,正向导通压降随之增大,反向恢复时间也变长.利用二维器件模拟软件MEDICI仿真分析得到以下结论:与相同结构尺寸的常规Si功率二极管相比较,20%Ge含量的超结SiGe功率二极管,反向阻断电压提高了1.6倍,正向压降减小了约60mV(正向电流密度为10A/cm2时).虽然反向恢复时间没有明显减少,但反向峰值电流密度降低了17%,软恢复特性也显著提高,后者的软度因子是前者的2倍多.超结部分的p型柱和n型柱宽度是器件设计中的重要结构参数,本文重点讨论了该参数对器件电学特性的影响:柱区宽度越小,阻断电压越高,漏电流越小,但同时正向压降有所增加.柱区宽度对反向恢复特性的影响没有明显的单调性,柱区宽度过小时会出现硬恢复现象.通过对该结构参数进行优化设计可以同时获得低通态压降、高阻断电压、快速恢复的特性.

摘要：超结SiGe功率开关二极管可以克服常规Si功率二极管存在的一些缺陷,如阻断电压增大的同时,正向导通压降也将增大,反向恢复时间也变长。该新型功率二极管有两个重要特点:一是由轻掺杂的p型柱和n型柱相互交替形成超结结构,代替传统功率二极管的n-基区;二是p+区采用很薄的应变SiGe材料。该器件可以同时实现高阻断电压、低正向压降和快速恢复的电学特性。与相同器件厚度的常规Si功率二极管相比较,反向阻断电压提高了42%,反向恢复时间缩短了40%,正向压降减小了约0.1V(正向电流密度为100A/cm2时)。应变SiGe层中Ge含量和器件的基区厚度是影响超结SiGe二极管电学特性的重要参数,详细分析了该材料参数和结构参数对正向导通特性、反向阻断特性和反向恢复特性的影响,为器件结构设计提供了实用的参考价值。

摘要：针对目前片式电容器生产厂无大容量高温浪涌与老化试验同时进行的设备现状,设计并实现了以89C52单片机为核心的智能化高温浪涌测试与老化试验系统。该系统集浪涌、老化于一体,容量大,自动化程度高,操作简单,测试精度和可靠性高。使用结果证明,完全可满足大批量片式电容成品率自动化检测的要求。经剔除早期易失效电容后,产品失效率可大大降低。

摘要：提出了一种新的数字频率合成 (DDS)实现的方法 ,对传统的 DDS系统进行了改进 ,通过改变正弦波数据的取样时钟频率来改变正弦波的频率 ,而每个周期正弦波的采样点数固定不变 ,从而解决了传统 DDS生成正弦波波形精度随频率的增加而减小的问题 ,另外 ,通过在数控振荡器 (NCO)和正弦波查找表 (LUT)之间加入一个加减地址计数器 ,使得正弦波数据存储器 ROM减小到原来的 1 /4。仿真和 FPGA测试结果验证了设计的正确性。

摘要：在分析IEC-GCT器件结构与工作机理的基础上,利用器件分析工具Silvaco模拟了IEC阳极结构的参数变化对IEC-GCT器件通态特性和关断特性的影响。结果表明,阳极区和短路区掺杂浓度及阳极短路比对通态压降和关断时间有较大影响,覆盖在p阳极上的氧化层宽度对通态特性影响较小,并给出了优化设计后的结构参数。

摘要：我国是农业大国,做农产品拍卖大有可为,它相较于传统农产品交易有很大的优势:可改变我国农产品交易一直以来以一对一'对手交易'形式,减少交易中间环节使得交易方便快捷,并有助于规范农产品交易市场秩序,保证农产品质量安全,降低成本,提高效率,实现农产品拍卖交易公开、公平、透明2019年中央一号文件《中共中央、国务院关于坚持农业农村优先发展做好'三农'工作的若干意见》重点强调“夯实农业基础,保障重要农产品有效供给”。

摘要：等和值块扩展最近邻搜索算法(EBNNS)是一种快速矢量量化码字搜索算法,该算法首先将码书按和值大小排序分块,编码时查找与输入矢量和值距离最近的码书块中间码字,并将它作为初始匹配码字.然后在该码字附近上下扩展搜索相邻码字中距输入矢量最近的码字,最后将搜索到的最匹配码字在码书中的地址输出.同时本文对该算法进行了FPGA设计.设计时采用串并结合和流水线结构,折中考虑了硬件面积和速度.结果表明针对所用FPGA器件Xilinxxc2v1000,整个系统最大时钟频率可达88.36MHz,图像处理速度约为2.2MPixel/s.