摘要：莱菔硫烷(sufloraphane,SFN)是一类要存在于十字花科蔬菜中的异硫氰酸盐类物质.研究证实,莱菔硫烷是1种多功能酶诱导物,可在没有明显改变细胞色素合成的情况下,提高Ⅱ相酶的相对含量,在肿瘤发生的多个阶段发挥抑癌作用[1].试验证明,莱菔烷对结肠癌、乳腺癌及大肠癌等均有很好的防治效果[2-3].本研究根据早期蔬菜中莱菔硫烷含量测定实验,结合经济因素及北方地域特点等综合考虑,选定红心萝卜为本实验主要原料.红心萝卜又称心里美萝卜,十字花科属,原料易得,价格便宜,而且其中的莱菔硫烷含量也很高.本实验旨在建立红心萝卜中莱菔硫烷提取与纯化方法,为其他十字花科蔬菜中莱菔硫烷的制备提供参考数据.

摘要：目的探讨蔬菜中莱菔硫烷的提取工艺。方法利用正交设计法进行实验,以莱菔硫烷的质量浓度为指标,优化提取过程。结果提取时最适水解条件为:固液比(g/mL)为1∶2,水解pH为3,水解时间为3h,最高提取含量为141.215mg/kg。结论从天然蔬菜中提取莱菔硫烷是可行的。

摘要：本文详细论述了热交换设备内U形管束的结构特点,以及为有效保证U形管束的制造质量,在制作、装配等重要环节给出了具体解决方案。成功地在不受场地、起吊设备限制的情况下将该大型设备一次性无损地进行顺利组装。并使各项性能指标均已达到设计要求。

摘要：创客教育倡导“造物”和“分享”,通过技术载体和项目实践,实现学生创新思维和创造能力的培养,强调创造。STEM教育注重跨学科知识整合,通过真实情境中的探究学习,实现科学知识的探究。二者既有区别又有联系。“设计制作飞行器”课例能帮助一线中小学教师明确创客教育与STEM教育之间的联系与区别,为课程实践提供参考。

摘要：滕奇霞:我们知道在广告创意执行中有很多环节,要实现一个好的创意离不开好的摄影师和好的模特,还有后期制作等等。今天请大家过来讨论一下模特经纪、摄影师、摄影经纪和广告公司之间的合作关系这个话题,希望对大家将来的沟通合作更加顺畅有些帮助。

摘要：针对建筑设计领域采用协同设计出现的问题,进行了深入分析,将设计实践与协同设计理论紧密结合。通过理论分析和实践探索,提出了建筑设计领域正确使用协同设计概念的方法。同时指出,协同设计对建筑设计进步存在巨大的潜在推动力,是未来的发展方向。

摘要：中子像转换屏是热中子透射成像技术的关键部件,中子像转换屏的参数严重影响空间分辨率和热中子-光子转化效率两方面的特性。采用Geant4程序模拟热中子透射成像的物理过程及透射光子二维图像,建立了基于LiF(ZnS)和LiF(GOS)像转化屏的热中子透射成像模拟模型和Siemens star像指示器模型,利用线扩散函数(Line Spread Function,LSF)计算空间位置分辨率,获得热中子像转化屏厚度与空间位置分辨率、中子-光子转换效率的关系。基于兰州大学紧凑型D-D中子源的热中子透射成像系统参数,推荐选取LiF(GOS)像转化屏的厚度为40μm,LiF(ZnS)像转化屏厚度应选取80μm,热中子透射成像空间分辨率分别可达到45μm和63μm,为基于紧凑型D-D中子源的热中子透射成像系统的研发奠定了技术基础。此外,本工作得到的LiF(GOS)、LiF(ZnS)像转化屏优化参数同样适用于其他热中子成像装置,可为热中子透射成像系统的搭建提供了技术参考。

摘要：随着现代都市生活水平不断提高,为解决人们因工作、外出而不能及时收回晾晒在阳台外的衣服的问题,本文设计了一套智能晾衣系统。该系统通过搭载的温度、湿度、风速、光照传感器自动感知室外温度、湿度、风力和关照强弱的变化,自动控制晾衣架伸出窗外或收回室内,具有反应灵敏、操作简单、安全可靠、适合老旧小区改造及新小区统一加装的特点。

摘要：利用PHITS程序评价计算了厚靶^(9)Be(d,xn)反应加速器中子源的能谱和角分布数据,重点讨论了JQMD、INCL和INCL/DWBA三种核反应物理模型计算厚靶^(9)Be(d,xn)反应中子辐射场分布的适用性。研究结果显示,基于INCL/DWBA耦合模型的PHITS程序计算所得到的厚靶^(9)Be(d,xn)反应中子能谱和角分布数据能够较好地与实验数据符合,可以为厚靶^(9)Be(d,xn)反应中子源特性研究及应用提供较为准确的中子辐射场数据。此外,设计了水冷大面积旋转铍靶的方案,并在5~25 MeV/5 mA入射氘能量下条件下,开展了靶面温度模拟研究,结果显示,靶面最高温度可控制在100℃以下。

摘要：SiC双沟槽MOSFET器件在重离子入射条件下易发生单粒子烧毁(SEB)效应。本工作采用TCAD程序模拟计算器件内部漏极电流、电流密度、晶格温度、碰撞电离、功率密度等物理量的空间分布,评价漏源电压对SEB效应的影响。根据模拟结果得到,入射离子在器件内部形成的瞬态电流源开启寄生双极晶体管,较高的漏源电压维持了器件内部的雪崩效应,器件的正反馈机制被建立,产生的瞬态大电流导致器件发生热损坏。因此,SiC双沟槽MOSFET器件发生SEB效应的主要成因是器件内寄生双极晶体管导通和正反馈机制的建立。此外,本工作评价给出了强电场对碰撞电离、晶格温度以及功率密度分布的影响,揭示了功率密度的峰值区域与晶格温度的峰值区域对应一致的原因,为SiC双沟槽MOSFET器件的抗核加固技术提供了数据支持。