摘要：CCD相机是中子照相装置中常用的成像设备。在照相过程中CCD易受中子和γ辐射影响产生瞬态噪声,影响图像的成像分辨率,有必要系统研究CCD相机屏蔽设计需求。本文通过调制传递函数(MTF)的理论推导并利用不同同位素放射源对CCD相机进行辐照实验,分别得到了典型CCD相机的瞬态噪声与图像分辨率和辐射剂量的函数关系,进而求出高分辨率条件下CCD相机的辐照剂量上限。研究结果显示,对于10 lp/mm成像分辨率,需控制瞬态噪声数量占比σ≤8%;满足该指标的CCD单次成像Am-Be中子、137Cs和60Coγ剂量限值分别为3.22×10^(-5)、2.64×10^(-3)、4.44×10^(-3) Gy,对中子剂量限值低于γ剂量限值、高能γ剂量限值低于低能γ剂量限值的原因也进行了解释。

摘要：通过在2×1.7MV串列加速器前端设计并安装静电扫描装置和靶室,扩展了其0~30keV低能注入和沉积功能.利用低能离子注入的方法分别在Ni/SiO2和铜箔衬底上得到石墨烯薄膜,并运用Raman光谱和扫描电子显微镜研究了样品的形貌、薄膜层数及缺陷等性质.实验结果表明,在铜箔衬底上得到双层石墨烯薄膜.通过调试高能端和200keV注入机联机实验,在双束靶室中得到He,Li,C,N,Fe离子束,用于双束注入和辐照损伤等研究.