摘要：通常的太赫兹微结构主要采用Au薄膜制备金属结构,很难利用微结构中Au薄膜性能对太赫兹波进行实时调控。本文设计并制备了基于高磁导率软磁FeNHf薄膜的太赫兹开口三角形结构,通过外磁场调控微结构中软磁薄膜磁化强度方向,系统研究了外磁场调控下微结构中的太赫兹波传输特性和电磁共振模式。软磁Fe NHf薄膜具有磁各向异性的特点,外磁场可以调控磁化强度M方向分别垂直和平行于太赫兹波磁场的方向,采用太赫兹时域光谱系统测试微结构的太赫兹透射特性,通过时域有限差分的方法,分析了基于软磁薄膜微结构的太赫兹场电磁场分布和调制机理。实验结果表明,外磁场可调控开口三角形太赫兹微结构的谐振频率,在1.3THz频段,调谐率约为5.7%,调制深度约为15%。

摘要：高校物理教学方法的改革对于培养高质量的物理学人才具有极其重要的作用。在物理教学中,教师应该将学生的学习主体地位放在首位,采用探究式学习和实践操作等教学方法,以提高学生的学习效果和学习动力。此外,教师还应该注重教学课程的应用性,使学生能够将所学的物理知识应用到实际生活中,从而更好地理解和掌握物理知识。教师应该注重学生的学习主体地位,采用探究式学习和实践操作等教学方法,重视教学课程的应用性,采用多种教学手段和教学资源,注重课程的设计和教学的个性化,以及重视学生的实践能力培养。从而提高学生的学习效果和学习动力,培养出更多高质量的物理学人才,为推动物理学科的发展和社会的进步做出更大的贡献。

摘要：古人说“文似看山不喜平”。《语文教学大纲》要求高中生能写比较复杂的记叙文。所谓“复杂”,即人物较多、事件纷繁、情节曲折,时间、景物、场面变换较大而已。初中阶段,学生已比较全面地接受了表达能力的基本训练,一般能灵活地运用顺叙、倒叙、插叙、平叙诸种叙述的方法,也能做到会叙述、会议论、会描写、会抒情,综合运用多种表达方式。这是写好复杂记叙文的基础。在此前提下,要想使文章写得“复杂”,达到生动活泼,情趣盎然,还需要从全文谋篇布局着眼提出更高的要求。刘熙载的《艺概·文概》中云:“作短篇之法,不外婉而成章;作长篇之法。

摘要：通过对当前大学教室排课现状的分析,提出并实现了教室课程安排系统的程序设计方法,并在实际操作过程中得到有效的应用。

摘要：一、后评价工作的意义和作用后评价工作是相对于前评价工作而言的,指建设项目建成并经过一定时间投产运营后,或在贷款偿还前后,对项目进行的总结评阶。它评定项目的实际成果,以确定该项目是否达到了预先设计和期望的目标并形成“项目后评价报告”。后评价工作所遵循的是“实践是检验真理的标准”这一基本原理,通过实践、总结、提高;按照系统工程的思想,采用“对比”,“追踪”方式,全面对照。

摘要：东林煤矿大斜度受控定向工程孔的设计与施工四川煤田地质局李文榕（执笔）四川煤田地质局１３６队李俊，张晓渝我局与重庆南桐矿务局地质公司合作施工的东林煤矿大斜度受控定向工程孔于１９９３年５月顺利竣工。终孔深度３２４．６ｍ，开孔顶角３５°、终孔５９°。沿钻孔...

摘要：基于半导体微纳工艺设计并制备了一种FeNHf磁性薄膜的镜像四环非对称太赫兹微结构,测试了薄膜磁性能和微结构太赫兹波传输特性。结果表明FeNHf薄膜在0.5GHz时在难轴方向的磁导率为410,共振频率为1.48GHz,磁各向异性场强度为31.88Oe(1A·m^(-1)=4π×10^(-3)Oe)。通过比较基于FeNHf薄膜的微结构与相同尺寸的非磁Au薄膜的微结构的太赫兹波传输特性,发现FeNHf薄膜四环微结构的共振频率比Au薄膜四环微结构的共振频率低,这主要是由于FeNHf薄膜具有较高的等效电感值。实验和模拟结果表明,FeNHf薄膜的电导率比Au薄膜低一个量级,在太赫兹共振频率下FeNHf薄膜微结构比Au薄膜微结构具有更高的电场强度和磁场强度,其太赫兹波涡流损耗约为Au薄膜微结构的25%,因此,FeNHf磁性薄膜的镜像四环非对称太赫兹微结构具有较大的透射率和Q值,能够更好地抑制太赫兹波的损耗。

摘要：范德堡法是测试金属薄膜电阻率的有效方法之一,由于范德堡法测试金属薄膜电阻率的过程较为繁琐,本文采用金属铟为接触电极,设计可集成样品的压力装置和测试电路,能方便、准确、无损伤地表征金属薄膜的表面电阻.根据薄膜厚度和求解范德堡方程,可以高效得到金属薄膜电阻率.

摘要：在半导体微纳工艺基础上研究了基于镜像非对称结构超材料太赫兹(THz)滤波器的性能。通过时域有限差分理论,模拟分析了滤波器工作频率下太赫兹电场强度和电流密度在微结构的分布,并阐述了微结构太赫兹波电磁共振的机理。基于太赫兹滤波器电磁损耗机制和微纳加工工艺条件,设计并优化器件开口环结构,使相邻开口环中产生电磁场的干涉相消,减少太赫兹辐射损耗,提高品质因子Q值。采用太赫兹时域光谱(THz-TDS)系统测试了滤波器的太赫兹透射特性,实验结果表明,在工作频率0.923 THz下,镜像非对称结构的平面太赫兹滤波器品质因子达到12.5。同时,研究了太赫兹电场方向对滤波器性能的影响。高Q太赫兹滤波器的研制为制备高速太赫兹电调制器等太赫兹器件提供了重要的实验依据。

摘要：An optimized micro-gated terahertz detector with novel triple resonant antenna is *** novel resonant antenna operates at room temperature and shows more than a 700% increase in photocurrent response compared to the conventional bowtie *** finite-difference-time-domain simulations,we found the performance of the self-mixing GaN/AlGaN high electron mobility transistor detector is mainly dependent on the parameters L gs（the gap between the gate and the source/drain antenna） and L w（the gap between the source and drain antenna）.With the improved triple resonant antenna,an optimized micrometer-sized AlGaN/GaN high electron mobility transistor detector can achieve a high responsivity of 9.45×102 V/W at a frequency of 903 GHz at room temperature.