摘要：薄膜开关(见本期封底照片)是80年代初发展起来的一种新型电子器件。本文对薄膜开关的结构、性能,用薄膜电路的面板设计,电路设计以及薄膜开关的装联等技术问题,作一全面的介绍。

摘要：针对混凝土面板堆石坝施工过程中反向渗透水流对垫层料的渗透破坏、面板压裂变形等问题,为消除反向水压的影响,以阿尔塔什混凝土面板砂砾石堆石坝为依托,综合分析施工期内反向水压,进行反渗排水设计和施工。在基坑底部坝体内高程1 661.0 m布置2根?150 mm的反渗排水管,在反渗排水竖向管部位四周4 m范围采用液压平板夯进行坝料碾压,以避免在坝料碾压过程中竖向管受到挤压;在集水槽槽内回填砂砾石反滤料,并设置竖向排水管,竖向排水管与水平排水管相连,竖向排水管1 m以上部分采用花管;为防止出现上游水沿反渗排水管倒灌进入坝体,需要在反渗排水管出口位置设置止水阀,并保证反渗排水系统出水口部位水位高程不高于1 662.2 m。研究成果对超高混凝土面板砂砾石坝排水设计具有参考价值。

摘要：提出一种标准CMOS工艺结构的低压、低功耗电压基准源,工作电压为5~10 V。利用饱和态MOS管的等效电阻特性,对PTAT基准电流进行动态电流反馈补偿,设计了一种输出电压为1.3 V的带隙基准电路。使输出基准电压温度系数在-25^+120℃范围的温度系数为7.427 ppm/℃,在27℃时电源电压抑制比达82 dB。该基准源的芯片版图面积为0.022 mm2,适用于低压差线性稳压器等领域。

摘要：利用有源PMOS负载反相器组成电压减法器,将电源噪声引入运放反馈,得到了一种高电源抑制比的基准电压源。对基准源的低频电源噪声抑制进行了推导和分析。仿真结果表明,在3 V电源电压下,在-40-85℃范围内,温度系数低于1.976 ppm/℃;在27℃下,1 KHz时,电源抑制比达88 dB.