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K-ary N-cube网络中的维度气泡流控与无死锁完全自适应路由
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《计算机学报》2006年 第5期29卷 801-807页
作者:肖灿文 张民选 过锋国防科学技术大学计算机学院长沙410073 
利用虚跨步切换技术中消息的依存关系只与相邻缓冲区队列相关的特点,设计了一种称为维度气泡流控(DBFC)的新型流控策略.该流控策略建立在虚跨步(VCT)切换和信约流控机制之上,通过分析端口信约值和路由信息实现点点间的流控.在无边带kary...
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环网中的维度气泡流控与自适应路由算法
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《计算机研究与发展》2007年 第9期44卷 1510-1517页
作者:肖灿文 张民选 过锋国防科学技术大学计算机学院长沙410073 江南计算技术研究所无锡214083 
介绍了一个称为环网维度气泡流控(TDBFC)的新型流控策略和称为环网维度气泡路由(TAD-BR)算法的新型自适应路由算法.在Bubble流控和DBFC流控的基础上设计了适合于环网的维度气泡流控.在环网中,如果采用TDBFC流控策略,设计的TADBR自适应...
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高性能微处理器微体系结构级功耗模型及分析
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《计算机学报》2004年 第10期27卷 1320-1327页
作者:王永文 张民选国防科学技术大学计算机学院长沙410073 
基于Itanium 2微处理器体系结构提出单时钟和多时钟域两种基准模型 ;对处理器的电路级特性进行微体系结构级抽象 ,建立了参数化的峰值功耗估算模型 ;提出事件调度算法 ,实现了多时钟域处理器系统的行为级模拟 ;以IMPACT工具集作为模拟...
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多输出LFSR结构均匀分布伪随机数生成器的硬件设计优化
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《武汉大学学报(信息科学版)》2010年 第5期35卷 566-569页
作者:谷晓忱 张民选国防科学技术大学计算机学院PDL重点实验室长沙市410073 
通过公式推导,得出了使用硬件方式实现伪随机数生成器所消耗的硬件资源数量与输出位数和所产生随机数周期之间的关系,从理论层面上证明了多输出LFSR结构在硬件资源利用方面存在的优势;通过分析变换矩阵的结构以及反馈系数的特点,给出了...
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面向众核处理器的独立调试系统设计方法
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《湖南大学学报(自然科学版)》2015年 第4期42卷 93-99页
作者:张明 石伟 郭御风 张民选国防科技大学计算机学院湖南长沙410073 
基于片上网络(Network-on-Chip,NoC)技术的众核处理器正成为当前高性能处理器的设计焦点.传统的调试系统结构不能很好地应用于众核处理器体系结构,众核处理器中踪迹数据传输、调试事件传播、时间戳同步等方面均面临重大挑战.为解决上述...
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k-ary n-cube中的移动气泡流控策略
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《国防科技大学学报》2012年 第6期34卷 34-38,53页
作者:王永庆 张民选国防科技大学计算机学院湖南长沙410073 
在k-ary n-cube网络中,气泡流控是一种有效、实用的死锁避免技术,它不必依赖虚通道就能避免环网中出现的死锁问题。如果流控策略能感知到维度内缓冲区的总体使用情况,就能够更加高效地进行调度,从而提高网络性能。为了避免关键气泡机制...
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一种新型网络视频点播的存储层次
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《计算机辅助设计与图形学学报》2001年 第5期13卷 477-480页
作者:王永庆 张民选国防科学技术大学计算机学院长沙410073 
针对多媒体应用中快速存储资源相对匮乏和磁盘速度受限问题 ,实现了使用网络空闲内存资源作为快速设备缓冲媒体的机制 ,扩展了多媒体环境中的存储层次 ,并给出了一种简单快速的 cache替换算法 .初步结果表明 。
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一种基于FPGA的高斯随机数生成器的设计与实现
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《计算机学报》2011年 第1期34卷 165-173页
作者:谷晓忱 张民选国防科学技术大学计算机学院PDL重点实验室长沙410073 
基于FPGA的高斯随机数生成器需要满足可重构、高吞吐率和高硬件资源使用效率等要求.文中提出了一种易于硬件实现的状态转换逻辑结构,并给出了均匀分布随机数周期和输出位宽的配置方法和配置原则.文中详细分析了应用"最值分析法&qu...
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基于模拟退火算法的浮点转定点自动位宽优化工具
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《上海交通大学学报》2013年 第1期47卷 76-80,85页
作者:黎渊 蒋江 张民选 魏少军国防科学技术大学计算机学院长沙410073 上海交通大学微电子学院上海200240 清华大学微电子研究所北京100084 
开发了一套浮点转定点自动位宽优化软件系统(SATRANS),能够将用户输入的描述目标系统的浮点程序自动转换为位宽可配置的定点程序,并基于模拟退火算法进行自动位宽搜索,以得到满足精度要求的操作数定点位宽组合.同时,以IIR数字滤波器为例...
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一种基于双栅材料的单极性类金属氧化物半导体碳纳米管场效应管设计方法
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《物理学报》2010年 第7期59卷 5010-5017页
作者:周海亮 张民选 方粮国防科学技术大学计算机学院并行与分布处理重点实验室长沙410073 
由于导电沟道-源/漏电极界面处可能发生的载流子带间隧穿,传统类金属氧化物半导体(MOS)碳纳米管场效应管呈现双极性传输特性,极大影响了器件性能的提高及其在电路中的应用.为获得具有理想单极性传输特性的类MOS碳纳米管场效应管,本文提...
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