摘要：本文从纵向结构设计的角度,回顾和评述了高电子迁移率晶体管(HEMT)十年来的研究与进展,并展望了未来的发展趋势。

摘要：本文首先简要介绍异质结双极晶体管(HBT)的结构和特点,接着评述HBT工艺技术发展现状、单元设计和目前制作的功率HBT的性能。

摘要：从纵向结构设计的角度，评述了磷化铟基ＨＢＴ研究的新进展，介绍了几个重要的研究成果。

摘要：本文给出了数字式干涉仪体制测向系统的误差源及其对测向精度的影响。指出宽带天线设计、采用交叉校零以及数字化比相和用模式识别法进行相位差到方位角的转换等一系列提高测向精度的方法。

摘要：利用BIPOLE计算机程序,评价了具有不同版图、不同掺杂分布和不同层厚的AlGaAs/GaAs HBT的频率性能,研究了HBT的最佳化设计,并比较了HBT和多晶硅发射极晶体管的大电流性能。研究表明,对发射极条宽S_E<3μm的HBT来说,在电流密度小于1×10~5A/cm^2时,并未发现电流集聚效应,由最高f_T确定的HBT电流处理容量要比多晶硅发射极晶体管的大两倍多。对基区掺杂为1×10^(19)cm^(-3)的典型工艺n-p-n型AlGaAs/GaAs HBT,已获得了一个最佳化的最高振荡频率f_(mos(?))的方程式:f_(mosc)=337(W_(Bop)/S_E)^(1/2)GHz,式中,W_(Bop)是最佳基区宽度,S_E是发射极条宽,二者都以微米为单位。

摘要：为了预先对具有先进设计的航空电子测距设备(DME)中所用的射频功率晶体管提出评价而进行的可靠性寿命试验揭示出:影响在1千兆赫下应用的脉冲功率晶体管的两种主要失效机理是: 1.硅在铝中的溶解,结果在发射极金属化上形成小丘; 2.铝颗粒增大。上述两种机理都导致BE结的退化。这些结果已被扫描电镜(SEM)和以JME设备的射频脉冲功率寿命试验为基础的电学测试以及在野外实验环境下的失效所证实。半导体制造者业已采取了一些改进措施,但是在最初的连续波寿命试验中,由于铝的电徙动而失效。为了消除在1千兆赫脉冲功率条件中所看到的失效机理,对这些器件还必须采取另外的改进措施。最近,5000小时脉冲功率寿命试验证明,设计上改进了的晶体管没出现退化。

摘要：探讨了基于虚拟现实的自动化立体仓库可视化仿真辅助设计问题。建立了辅助自动化立体仓库设计的可视化仿真的模型,重点论述了辅助自动化立体仓库设计的可视化仿真的设计过程,具体包括辅助自动化立体仓库的设计流程,仿真模型中实体、属性、事件与策略等四要素的建立以及仿真时钟推进机制的设计,最后以某公司自动化立体仓库设计方案为例,使用该仿真辅助设计对方案进行优化调整,并从实际结果中得到了有效性的验证。

摘要：介绍了基于XML的高校设备信息管理系统 ,以及系统的设计思想、网络拓扑结构、关键技术及系统安全措施 .