摘要：为提高InSb红外探测器室温下的工作性能,设计了GaSb/InSb/InP异质结构,并对结构中俄歇复合与肖克莱-瑞德复合两种复合机制对漏电流的影响进行研究。利用TCAD仿真工具对InSb探测器件进行建模,分析得到能带结构与载流子分布。以能带参数为基础,根据连续性方程,结合漂移扩散模型,分析了俄歇复合在反偏压下的衰减效应,并综合肖克莱-瑞德复合的影响,计算出不同缺陷浓度下器件的漏电流。利用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)技术制备GaSb/InSb/InP异质外延样品,对其漏电流进行测试,并与仿真结果进行对比分析。实验结果表明,计算结果与实验结果一致,器件工作性能的主要限制为肖克莱-瑞德复合机制,器件的漏电流为0.26 A·cm^(-2),品质因子R_0A为0.1Ω·cm^2。相比于同质InSb结构,器件的R_0A提高了一个数量级,已接近实用化水平。

摘要：为了研究高掺量粉煤灰胶凝材料的特性,通过SPSS软件优化设计了高掺量粉煤灰胶凝材料正交配比试验,并根据国标测定了该系列材料的相关特性参数,采用显著度分析、极差分析等手段研究了材料特性变化规律。该系列胶凝材料粉煤灰掺量最高达到95%,有较好的流动性及保水率,初、终凝时间可调,7 d单轴抗压强度为可达3. 61 MPa,21 d单轴抗压强度可达8. 09 MPa,28 d单轴抗压强度可达8. 89 MPa。材料强度在早期增长速度较快,在21 d左右,材料强度基本稳定,增长速度大幅放缓,28 d左右能达到稳定强度。研究了材料流动性、保水率、凝结时间及单轴抗压强度与材料配比之间的关系。

摘要：通过对不同合成条件与制备参数的量子点及其薄膜进行一系列特性表征,实现铯铅溴量子点(CsPbBr3)合成条件和薄膜制备参数的优化。利用热注入的方法,研究了反应温度与反应时间对CsPbBr3量子点特性的影响。设计并获得了不同合成条件下的CsPbBr3量子点样品,并对所有样品进行了特性表征。随后将所有CsPbBr3量子点样品制备成薄膜,探究其薄膜的光致发光特性。反应温度为180℃、反应时间为5s时所合成的量子点尺寸最小,为9nm;旋涂速度为3000r/min、退火温度为80℃、退火时间为10min时,所制备的薄膜光致发光强度最大。得到了相对最优的CsPbBr3量子点合成条件与CsPbBr3量子点薄膜制备条件。