摘要：提出了一种新型栅耦合型静电泄放(ESD)保护器件——压焊块电容栅耦合型保护管.该结构不仅解决了原有栅耦合型结构对特定ESD冲击不能及时响应的问题,而且节省了版图面积,提高了ESD失效电压.0.5μm标准互补型金属氧化物半导体工艺流片测试结果表明,该结构人体模型ESD失效电压超过8kV.给出了栅耦合型ESD保护结构中ESD检测结构的设计方法,能够精确计算检测结构中电容和电阻的取值.

摘要：提出了两种新型脉冲触发器结构——EXPAND触发器和EXPAND-TG触发器.同传统结构相比,新结构一方面通过减小中间节点电容提高电路充放电速度,另一方面通过消除信号竞争避免直流短路电流对电路速度和功耗的影响.同其他文献报道的结构相比,新结构在功耗和速度上均有明显的改进.

摘要：提出一种新型RAM锁存器,通过引入并行充电支路,可避免开关电流和充电速度之间的矛盾。与传统结构相比,新结构不仅能提高充电速度,而且能降低短路功耗。此外,新结构中时钟负载只有一个MOS管,能有效降低时钟功耗。Hspice仿真结果表明,新的RAM n-锁存器和p-锁存器速度分别提高12.8%和25.5%,功耗延迟积分别降低19.8%和26.9%。

摘要：从仿真和流片两个方面对标准单元库的验证方法进行了研究。在仿真方面,提出了采用静态时序分析工具和SPICE仿真工具对单元的估算值和仿真结果进行比较分析的方法来验证,同时还给出了具体的操作步骤实例。在流片验证中,提出了一种非常有效的电路结构。这种电路结构不但能够准确验证时序,还能极大地减少PAD数量;最重要的特点是:该电路能够完全避免PAD和非被测单元的引入带来的额外延迟,从而得到准确的被测单元延迟。