摘要：采用SMIC55nm CMOS工艺设计了一款单级100GHz的放大器,该放大器采用共源共栅结构进行设计,相对共源级结构可提高其输出P1dB压缩点,进而可以输出更大的功率要求。共源共栅电路单级放大器具有更好的输入输出隔离,更好的增益,提高带宽,更高的输入阻抗,更高的输出阻抗,更好的稳定性,高的转换率等优点。仿真结果表明:这款放大器覆盖频段是96~105GHz,增益>1dB,噪声系数为3.4~5.7,输出1dB压缩点>1.4dBm。在2.5V电压下,功耗<110mW。

摘要：基于SMIC55nm工艺设计了一款Ka波段(32~38GHz)的功率放大器。该功率放大器通过片上巴伦实现了功率合成,并在巴伦上加入了谐波控制网络来进一步改善功放的功率附加效率(PAE)。采用cadence软件原理图仿真,使用peakview软件进行电磁仿真,仿真结果表明,在2.5V供电电压下,在中心频率35GHz功率增益为29.2dB,输出功率1dB压缩点为16.7dBm,最高功率附加效率(PAE)达到20%,芯片面积仅为0.55mm2。

摘要：基于SMIC 55nm工艺设计了一款太赫兹二倍频器芯片,二倍频器结构为经典的push-push结构,输入端利用低损耗、高平衡度的巴伦将单端信号转换成差分信号输入,由于频率较高,电感的寄生效应比较强,所以需利用微带线进行电路的匹配设计。仿真结果表明,输入回波损耗在102.5GHz-112.5GHz优于15dB,输出回波损耗在205GHz-225GHz优于20dB,倍频损耗在全频段最大约为17.3dB,基波抑制大于13dBc。