摘要：金属氧化物薄膜晶体管(Metal oxide thin film transistors,MOTFTs)因其具有较高的载流子迁移率和较好的电学稳定性,在大尺寸发光显示驱动背板应用方面极具潜力。此外,MOTFTs与非晶硅薄膜晶体管的制备工艺兼容,制造成本较低,具有较大市场竞争优势。然而,衡量MOTFTs性能的两个关键指标——迁移率和稳定性之间的矛盾限制了其高端显示应用。因此,开发高迁移率兼具高稳定性的MOTFTs成为研究热点和产业竞争焦点。大量研究表明,稀土掺杂氧化物有源半导体材料体系有望实现这一目标。本文重点综述兼具高迁移率和高稳定性的稀土掺杂氧化物材料设计及MOTFTs已达到的性能,探讨稀土掺杂金属氧化物薄膜晶体管(RE-MOTFTs)面临的挑战和发展潜力。

摘要：有机电致发光材料具有可进行分子结构设计而改变其溶解性及光电性能等特点,以此为功能层、将电能转换为光能的有机电致发光二极管更是具备轻薄、高效、自发光、低能耗以及低成本可实现柔性器件等潜在优势。因此,研究合成高性能的有机电致发光材料并应用于制备可实用化的显示器及照明产品成了业界研究的热点。文中综述了以能带理论为基础,对有机电致发光材料进行结构设计改进发光性能时对将合成的材料的能隙计算的理论模型与计算方法及其应用进展,可望为聚合物发光材料的合成设计提供理论支持。

摘要：根据最基本的2T1C像素电路,建立了TFT各参数与AMOLED面板限制因素的计算模型。详细分析了AMOLED显示尺寸与TFT迁移率、金属方块电阻、刷新频率以及器件结构的关系。在大尺寸高分辨率AMOLED面板设计中,信号线RC延迟是主要限制因素。TFT迁移率的提高在一定范围内对大尺寸显示面板设计有利,降低RC延迟是实现大尺寸、高分辨率、高刷新频率显示的关键技术。开发铜布线技术和低寄生电容TFT器件结构是未来大尺寸AMOLED显示的关键技术。

摘要：阐述了OLED/LCD器件中γ校正的基本原理,通过考虑人眼视觉非线性和液晶电光非线性,得到了CRT相对于OLED/LCD的灰度级亮度特性曲线。以所设计的26.4cm VGA(行反转)的TFT-LCD为例,采用源驱动器μPD16641芯片,通过γ校正电路和输入数据、灰度级和基准电压的关系,进行了实际的γ校正,得到了驱动电路中的γ校正的外部电压设定值,将设定目标值与实际驱动测定值进行了比较,从比较的结果可以看到,两者十分接近的,解决了实际的TFT液晶驱动电路中Gamma(γ)校正问题,达到了预期的设计目的,使图像的质量满足了用户的要求。

摘要：设计了一系列新型芴-咔唑电磷光共轭聚合物.通过共价键将双（2-（9,9-二乙基-9H-芴-2-基）吡啶-N,C^2’）合铱（III）（Ir Fpy）接枝到3,6-二溴咔唑的N-烷基侧链,采用Suzuki缩聚反应合成了铱配合物（Ir Fpy）含量分别为0.25 mol%,0.5 mol%和1 mol%的聚合物PF-Ir Fpy.当引入的配合物Ir Fpy含量为1 mol%时,得到的共轭聚合物发射色坐标为（0.44,0.56）的黄光.随着接枝的铱配合物Ir Fpy在共轭聚合物中含量降低,作为主体的聚（9,9-二辛基芴）蓝光发射不能被完全淬灭,得到共聚物同时发射主体蓝光及客体铱配合物黄光的单分子白光共轭聚合物.共聚物发光器件结构为ITO/PEDOT：PSS（50 nm）/polymer＋PBD（30 wt%）（80nm）/Ba（4 nm）/Al（150 nm）[氧化铟锡/苯磺酸掺杂聚乙烯基二氧噻吩/聚合物＋（2,4-二苯-5-4-叔丁基苯-1,3,4-噁二唑）（w=30%）/钡/铝],基于共聚物PF-Ir Fpy025的器件流明效率为3.97 cd/A,色坐标为（0.34,0.34）,非常接近于标准白光发射的色坐标（0.33,0.33）.为了研究采用共聚物PF-Ir Fpy025和PF-Ir Fpy05制备的白光器件的光谱稳定性,测试了外加电压在8-13 V范围内的EL光谱,当外加电压从8 V升高到13 V时,两个EL器件都表现出了良好的EL光谱稳定性.研究结果表明,在共轭聚合物侧链上引入螯合金属铱配合物单元是实现高效、稳定的白光电致磷光器件的有效方法之一.

摘要：设计了环己基苯与十八烯的双溶剂量子点墨水体系,研究了具有CdSe@ZnS/ZnS核/壳结构的绿光量子点(QDs)成膜规律及其发光特性。设计的高沸点、低表面张力的十八烯和低沸点、高表面张力的环己基苯所组成的双溶剂墨水体系增强了马兰戈尼流,减弱了量子点在像素坑边缘的沉积,实现了在像素坑中制备表面平整的量子点薄膜。研制的分辨率为240 PPI的倒置结构顶发射绿光量子点阵列发光器件启亮电压2.7 V,最高亮度132 510 cd/m^(2),最大外量子效率14.0%,为采用喷墨打印工艺制备高性能量子点电致发光点阵器件提供了借鉴。

摘要：设计了空穴传输材料聚乙烯基咔唑(PVK)与绿光无镉磷化铟(InP)量子点共混体系,改善了量子点团聚效应,减少了量子点之间相互作用产生的非辐射Förster能量转移(FRET),提高了共混无镉量子点薄膜的光致发光效率(PLQY),从24.2%提升至30.1%。同时,PVK的掺入提高了共混发光薄膜的空穴传输性能,改善了量子点电致发光器件的载流子平衡,使器件的最大外量子效率(EQE)达到5.94%,较未掺杂器件提高了32%。该聚合物掺杂方法可为研制高性能绿光InP量子点发光二极管提供参考。

摘要：为了弥补现有氧化物TFT的行驱动电路输出模块在功率消耗、响应速度、输出摆幅等方面的不足,提出了基于二次耦合的直流输出模块,并由此研究设计新的行驱动电路拓扑。仿真结果表明,该输出模块具有驱动能力强、响应速度快等优点。最后,基于刻蚀阻挡层(ESL)结构的氧化物TFT工艺,在玻璃衬底上成功制备了该行驱动电路,实测单级功耗为325μW。

摘要：设计双层器件结构(ITO/PEDOT/P—PPV/PFHDNT/Ba/Al)制备高效率近红外发光二极管,其中P-PPV为发绿光的苯基取代的PPV衍生物,PFHDNT为近红外发光的9,9-二辛基芴(DOF)与4,7-二(3-己基噻吩)-2,1,3-萘并噻二唑(HDNT)的共聚物(PFHDNT10).经优化PFHDNT10和P-PPV薄膜厚度,得到器件的外量子效率高达2.1%(激发电流35mA/cm2),流明效率0.3cd/A,较单层结构器件的发光效率(0.9%)提高了两倍以上,发光光谱峰值为750nm,色度坐标CIE1931为(0.67,0.30),位于近红外区域.研究表明,增强的发光效率主要原因是P-PPV层具有电子阻挡作用及向PFHNDT10共聚物进行了有效能量转移.

摘要：采用旋转涂布法制备空穴传输层聚二氧乙基噻吩/聚对苯乙烯磺酸过程中,设置高低转速相结合的方式,调转基片方向实施二次旋涂干燥成膜,有效改善了材料因基片开口设计而引起的单双行薄膜厚度不均匀现象.由于增加了功能层薄膜的均匀性,从而改善了显示屏的整体发光均匀性与发光效率.改进工艺后制备的绿光显示屏电流效率提高了近40%,并得到了电流效率达1.25cd/A的96×64的3.81cm全彩高分子发光点阵显示屏,发光亮度提高了近25%.