摘要：根据径向波导传播模式特点和集总参数阻抗匹配理论,提出了一种采用磁耦合探针的12路径向波导功率合成器,该合成器具有插入损耗小、功率容量大、加工装配方便等优点。测试结果表明:在1.0GHz^1.6GHz范围内,合成器插损小于0.2dB,回波损耗优于-20dB,相位一致性优于±1.2°,测试结果与仿真结果吻合。

摘要：基于Ga N高电子迁移率晶体管（HEMT）技术,研制了在0.8-4 GHz频率下,输出功率大于50 W的宽带平衡式功率放大器。采用3 d B耦合器电桥构建平衡式功率放大器结构;采用多节阻抗匹配技术设计了输入/输出匹配网络,实现了功率放大器的宽带特性;采用高介电常数Al2O3基材实现了小型化功率放大器单元;采用热膨胀系数与Si C接近的铜-钼-铜载板作为Ga N HEMT管芯共晶载体,防止功率管芯高温工作过程中因为热膨胀而烧毁。测试结果表明,在0.8-4 GHz频带内,功率放大器功率增益大于6.4 d B,增益平坦度为±1.5 d B,饱和输出功率值大于58.2 W,漏极效率为41%-62%。