摘要：场助光电阴极可以有效提高长波阈值处的外量子效率,在近红外波段中有着较为广泛的应用。设计了pn结型n-InP/p-InGaAsP/p-InGaAs场助光电阴极,通过电流连续性方程建立其电子发射模型,在该模型基础上调整各层参数进行仿真,获得电子发射电流并计算外量子效率。分析外加电压、外延层掺杂浓度及厚度、基极电极宽度、发射面宽度及发射层材料等因素对外量子效率的影响,最终确定外量子效率达到峰值时各层最佳参数。结果表明:n型InP接触层、P型In_(0.75)Ga_(0.2)O_(45)As_(0.45)P发射层和p型In_(0.53)_Ga_(0.47)As吸收层的最佳掺杂浓度分别为1×10^(19)、2×10^(18)和4×10^(17)cm^(-3),厚度分别为0.2μm、50nm和3um;综合考虑仿真结果和工艺制备条件,基极电极宽度最佳范围为1~2μm,发射面宽度最佳范围为5~8μm。外加6V电压时,1.65μm波长处外量子效率理想峰值为41%。

摘要：场助光电阴极与通常的负电子亲和势光阴极相比,能显著延长长波阈值,因此在近红外光探测中有着广阔的应用前景。本文利用二维连续性方程建立了n-InP/p-InP/p-InGaAs场助光阴极的电子发射模型。通过模型模拟得到了电子发射电流,并计算了外量子效率。分析了不同偏压下外延层的掺杂浓度和厚度对量子效率的影响,根据仿真结果及制备条件限制,确定了阴极外延结构的最佳参数:n-InP接触层的掺杂浓度为1×10^(19)/cm^(3),厚度为0.2μm;p-InP发射层的掺杂浓度为2.2×10^(18)/cm^(3),厚度为25 nm;p-InGaAs吸收层的掺杂浓度为5×1017/cm,,厚度为3μm。对电极和发射面的宽度进行了模拟,发射单元表面的宽度最佳范围为5~8μm,并分析了不同偏压下电极宽度和发射面宽度对量子效率的影响。为场助光电阴极的结构设计和应用提供了理论基础,有利于场助光电阴极的制备。n-InP/p-InP/p-InGaAs场助光电阴极有效提高了发射电流效率,室温5 V偏压下外量子效率在1.55μm处最大值为17.2%。

摘要：基于研制快速准确测量氡及其子体含量的脉冲电离室测氡仪的要求,设计了该仪器的电压灵敏前置放大器,完成了电路设计和成品组装测试。测试结果表明该前置放大器满足核测量仪器的要求。

摘要：将LaBr3(Ce)探测器、主放电路、多道脉冲幅度分析器及蓝牙模块集成在一起,构成数字化探头。数字化探头中的FPGA芯片实现了多道脉冲幅度分析功能,包括数字脉冲成形、阈值去噪、堆积判弃、基线估计及幅度提取等。通过蓝牙无线技术,数字化探头将数据传输给Android智能手机处理,设计并实现了便携式多道γ能谱仪。

摘要：随着电子加速器技术的不断发展,对注入器的要求也越来越高,作为注入器的核心部件,性能优异的光电阴极决定了束流的质量。伴随着纳米加工手段的不断进步和纳米光子学的不断发展,设计并制备出具有纳米柱阵列的光电GaAs阴极,与平面GaAs光电阴极相比,柱阵列GaAs光电阴极因其可以产生光学共振效应,增加吸收光的面积和可吸收更多的光子能量,所以具有更高的量子效率。目前,阻碍其进一步发展的主要问题是其表面易氧化且易吸附碳活性物,导致在Cs/O激活时无法获得原子级清洁表面,使其量子效率降低和寿命缩短。为了去除表面氧化物,采用氢氟酸作为清洗试剂,在其他条件不变的前提下,量子效率和光照寿命随清洗时间的延长而增加,但是其表面形貌也会随着清洗时间的延长而发生不同程度的破坏。

摘要：使用Silvaco/Atlas软件设计、模拟并优化了GaInSb/GaSb单结热光伏电池,研究了器件材料厚度和掺杂浓度对电池性能的影响。主要从最大输出功率(Pm)、开路电压(Voc)和短路电流(Isc)这三个参数表征并分析电池器件的优劣。器件厚度主要通过对入射光的吸收率和光生载流子的收集效率影响热光伏电池的性能。而掺杂浓度对于热光伏电池特性的影响主要是从复合机制以及少子迁移率等方面体现。最后得到了优化后的器件结构。

摘要：根据Bragg公式及L.S.S理论,计算分析了241Am放射性源在GaN及合金材料中的射程及能量损失比,利用SRIM模拟仿真241Am在GaN中的射程及能量损失比,得出了最佳PIN结构中I层的厚度,优化设计了GaN基α粒子探测器的PIN结构,为MOCVD技术制备PIN结构GaN基α粒子探测器提供了理论依据和实验参考数据。