摘要：中子像转换屏是热中子透射成像技术的关键部件,中子像转换屏的参数严重影响空间分辨率和热中子-光子转化效率两方面的特性。采用Geant4程序模拟热中子透射成像的物理过程及透射光子二维图像,建立了基于LiF(ZnS)和LiF(GOS)像转化屏的热中子透射成像模拟模型和Siemens star像指示器模型,利用线扩散函数(Line Spread Function,LSF)计算空间位置分辨率,获得热中子像转化屏厚度与空间位置分辨率、中子-光子转换效率的关系。基于兰州大学紧凑型D-D中子源的热中子透射成像系统参数,推荐选取LiF(GOS)像转化屏的厚度为40μm,LiF(ZnS)像转化屏厚度应选取80μm,热中子透射成像空间分辨率分别可达到45μm和63μm,为基于紧凑型D-D中子源的热中子透射成像系统的研发奠定了技术基础。此外,本工作得到的LiF(GOS)、LiF(ZnS)像转化屏优化参数同样适用于其他热中子成像装置,可为热中子透射成像系统的搭建提供了技术参考。

摘要：利用PHITS程序评价计算了厚靶^(9)Be(d,xn)反应加速器中子源的能谱和角分布数据,重点讨论了JQMD、INCL和INCL/DWBA三种核反应物理模型计算厚靶^(9)Be(d,xn)反应中子辐射场分布的适用性。研究结果显示,基于INCL/DWBA耦合模型的PHITS程序计算所得到的厚靶^(9)Be(d,xn)反应中子能谱和角分布数据能够较好地与实验数据符合,可以为厚靶^(9)Be(d,xn)反应中子源特性研究及应用提供较为准确的中子辐射场数据。此外,设计了水冷大面积旋转铍靶的方案,并在5~25 MeV/5 mA入射氘能量下条件下,开展了靶面温度模拟研究,结果显示,靶面最高温度可控制在100℃以下。

摘要：SiC双沟槽MOSFET器件在重离子入射条件下易发生单粒子烧毁(SEB)效应。本工作采用TCAD程序模拟计算器件内部漏极电流、电流密度、晶格温度、碰撞电离、功率密度等物理量的空间分布,评价漏源电压对SEB效应的影响。根据模拟结果得到,入射离子在器件内部形成的瞬态电流源开启寄生双极晶体管,较高的漏源电压维持了器件内部的雪崩效应,器件的正反馈机制被建立,产生的瞬态大电流导致器件发生热损坏。因此,SiC双沟槽MOSFET器件发生SEB效应的主要成因是器件内寄生双极晶体管导通和正反馈机制的建立。此外,本工作评价给出了强电场对碰撞电离、晶格温度以及功率密度分布的影响,揭示了功率密度的峰值区域与晶格温度的峰值区域对应一致的原因,为SiC双沟槽MOSFET器件的抗核加固技术提供了数据支持。

摘要：目的探讨移动教育在全髋关节置换术后患者院外延续康复锻炼的应用效果。方法选取我院骨科收治的晚期股骨头坏死并行人工全髋关节置换术的患者60例,采用随机数字表法随机分为观察组和对照组,每组各30例。对照组患者给予常规出院康复锻炼指导,观察组在对照组基础上给予动漫式宣教片进行院外移动教育。评估2组患者出院后12周末髋关节功能锻炼效果、功能锻炼依从性、功能锻炼康复技能掌握情况及生活质量。结果出院后12周末,观察组髋关节功能锻炼效果、功能锻炼的依从性、功能锻炼康复技能掌握程度及生活质量均优于对照组(P<0.05)。结论移动教育能改善髋关节置换术患者髋关节功能锻炼效果,提高其功能锻炼的依从性和院外延续功能锻炼康复技能,进而改善生活质量。