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具有高量子效率、低暗电流、高可靠性的平面InGaAs　PIN光电二极管: 收藏
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引用; 《光通信研究》1994年第1期 124-129页; 作者：李保根徐之韬赵先明武汉电信器件公司; 本文详细讨论了量子效率和响应时间两个重要参数与器件结构参数的关系，为器件设计提供了依据，并提出了器件的设计方案。根据设计方案研制出的平面ＩｎＧａＡｓＰＩＮ光电二极管，量子效率高达９０％以上，暗电流为１００ｐＡ。在－１...; 本文详细讨论了量子效率和响应时间两个重要参数与器件结构参数的关系，为器件设计提供了依据，并提出了器件的设计方案。根据设计方案研制出的平面ＩｎＧａＡｓＰＩＮ光电二极管，量子效率高达９０％以上，暗电流为１００ｐＡ。在－１０Ｖ偏置下，１８０°Ｃ时ＭＴＴＦ大于３０００ｈ，２３０°Ｃ时ＭＴＴＦ为５００ｈ。; 来源：详细信息评论

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