摘要：二维过渡金属硫族化合物(TMDCs)材料被认为是拓展摩尔定律的极具前景的候选材料.然而,该材料的低光致发光效率严重限制了其实际应用,其本质源于材料制备中不可避免引入的缺陷.在本文中,我们报道了一种Sr掺杂单层MoS_(2)的有效缺陷工程策略,该策略在实验上通过简便的化学气相沉积(CVD)一步法成功实现.所制备的具有亚毫米(~324μm)级的大尺寸样品的光致发光可实现高达两个数量级的增强,并伴随着载流子寿命的显著增强.这一现象主要归因于Sr掺杂后MoS_(2)体系中其三激子向激子转换.与此同时,掺杂样品的辐射质量和稳定性也显著提升.第一性原理计算进一步阐明了其调控机制,即在MoS_(2)中引入适当互补缺陷能级与其自身的缺陷能级协同,从而可调节其载流子组分,以实现光致发光的显著增强.此外,我们的缺陷工程策略也适用于其他掺杂剂,如钙掺杂剂.我们的工作报告了一种可以显著提升单层MoS_(2)的荧光性能的有效缺陷工程策略,这为设计和调控二维TMDCs的光电特性提供一种极具前途的方法.

摘要：为揭示超高直流电场作用下金属化膜电容器的老化特性,对电容器设备及其介质材料进行了研究。基于电容器的实际运行工况,对特殊设计的电容器元件在60℃下分别开展了直流场强为0En、1.4En、1.5En与1.6En的老化试验。对老化中的电容器元件电容量和老化失效后的基膜(双向拉伸聚丙烯(BOPP)薄膜)进行测试。结果表明:电容器失效机理与老化电场有关,存在阈值电场。当老化电场低于阈值电场时,电容器发生长期失效,受到薄膜性能劣化的影响电容量降低,薄膜的电气强度随分子链段运动活化能的降低而降低;当老化电场高于阈值电场时,电容器发生短期故障,极高的电应力使薄膜介质原有的电弱点迅速击穿,自愈面积快速增大,设备寿命大幅缩短。