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融合STDP规则的忆阻联想记忆电路
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《武汉大学学报(理学版)》2023年 第6期69卷 819-826页
作者:杨乐 徐晏阳 丁芝侠 李赛武汉工程大学电气信息学院湖北武汉430205 
脉冲时序依赖可塑性规则和联想记忆规则共同描述了神经元突触的可塑性,对生物的学习和遗忘有重要的影响。现有的脉冲时序依赖可塑性规则与忆阻器结合的相关研究,仅实现了联想记忆的学习功能。基于此,融合脉冲时序依赖可塑性规则设计了...
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