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Si/Si_(1-x)Ge_x HEMT结构设计的研究: 收藏
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引用; 《功能材料与器件学报》2001年第2期7卷 162-166页; 作者：胡英周晓华徐毓龙赵祖军西安电子科技大学技术物理学院西安710071; 从晶格匹配及能带阶跃角度讨论了 n沟 Si /Si1－ xGex HEMT结构的设计原理及方法，对Ismail器件进行了分析和计算，所得二维电子气 (2DEG)的 ns与实验结果基本相符，并利用该设计理论对 Ismail器件的异质结结构进行了优化改进，提高...; 从晶格匹配及能带阶跃角度讨论了 n沟 Si /Si1－ xGex HEMT结构的设计原理及方法，对Ismail器件进行了分析和计算，所得二维电子气 (2DEG)的 ns与实验结果基本相符，并利用该设计理论对 Ismail器件的异质结结构进行了优化改进，提高了器件 2DEG的 ns。; 来源：详细信息评论

Si/Si_(1-x)Ge_x HEMT异质结层的结构与二维电子气密度的关系: 收藏
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引用; 《半导体情报》2001年第2期38卷 46-49页; 作者：胡英周晓华徐毓龙赵祖军西安电子科技大学技术物理学院陕西西安710071; 从晶格匹配及能带阶跃角度讨论了设计一个 n沟 Si/Si1-x Gex HEMT异质结层的原理及方法 ,对 ***器件进行了分析和计算 ,所得 2 DEG的 ns与实验结果基本相符 ,并利用该设计理论对 K. Ismail器件的异质结结构进行了优化改进 ,提高了器件 2...; 从晶格匹配及能带阶跃角度讨论了设计一个 n沟 Si/Si1-x Gex HEMT异质结层的原理及方法 ,对 ***器件进行了分析和计算 ,所得 2 DEG的 ns与实验结果基本相符 ,并利用该设计理论对 K. Ismail器件的异质结结构进行了优化改进 ,提高了器件 2 DEG的 ns。; 来源：详细信息评论

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