摘要：本文介绍了谐波电流和补偿功率的分配,滤波电路电感L和电容C的理论计算。並按照电抗器和电容器的实际数据,对滤波电路的技术参数作了设计计算。结果表明,采用本文介绍的计算方法设计滤波电路是安全可靠的。

摘要：本文扼要介绍了液压试验自动测试系统和S5-115U应用软件设计。同时对温度■环自动控制程序设计作了详细说明。

摘要：基于经验基EEHEMT等效电路模型,针对AlGaN/GaN HEMTs提出一种可缩放大信号模型,以准确获取宽栅多指器件的电学性能.所提出的模型从器件的栅宽、栅指个数角度出发,分别对器件模型的本征参数漏源电流、栅源电容和栅漏电容制定了相应的缩放规则.为了验证所提缩放大信号模型的准确性,通过总栅宽为14.4 mm的L频段GaN高效率功率放大器进行比对验证,仿真与测试结果在1120—1340 MHz频带内功率值不低于46.5 dBm,漏极效率值不低于70%,结果高度吻合.此外,利用该模型在对大栅宽GaN HEMTs基波信息进行准确仿真的基础上能很好预测器件的高次谐波信息,可为先进大功率、高效率的微波功率放大器的设计提供重要支撑.

摘要：采用南京电子器件研究所研制的0.35μm栅长、60 V高压AlGaN/GaN HEMT工艺,利用可缩放大信号模型仿真设计了一款工作在S波段的高性能功率放大载片。该功率放大载片由单个总栅宽为36.4 mm的GaN管芯采用混合集成内匹配方案设计而成,漏极工作电压为60 V,工作频带为2.7~3.5 GHz。测试结果表明,在环境温度300 K,脉宽250μs、占空比15%的脉冲测试条件下,功率放大载片在工作频带内最大饱和输出功率为354.8 W,最大功率附加效率为61%,功率增益大于14.7 dB,显示了GaN器件的高工作电压、高功率密度、宽工作频带等特性。

摘要：针对工作在大信号非线性区域内的大功率器件设计的建模需求,基于多谐波失真行为(EPHD)模型原理,采用MT2000有源时域负载牵引系统对总栅长为1.25 mm的GaN高电子迁移率晶体管(High Electron Mobility Transistor,HEMT)管芯进行在片测试,提取出该管芯在2.7~3.5 GHz的非线性行为模型,并在ADS软件中搭建负载牵引电路,对该行为模型的准确性进行了仿真验证。结果显示,该模型的最佳功率阻抗点、最佳效率阻抗点、输出功率和附加效率等均与测试结果一致,验证了该模型的准确性。由于该模型在输出端加入了二次谐波负载牵引,在测试频段内能获得10%左右的效率提升,可以用于指导有较高效率要求的GaN HEMT放大器的电路设计。

摘要：以氮化镓(GaN)为代表的第三代半导体正促使着固态微波功率器件向着更高功率、更高效率、集成化的方向不断发展,但这会导致器件内部电磁场分布效应更为显著,单一的路仿真已无法满足分析设计的精度需求,亟需建立有源GaN器件与无源电磁结构的一体化协同仿真技术.针对这一需求,本文提出基于时域不连续伽辽金技术的GaN基高功率微波器件高效场路协同仿真方法,将所提取的GaN HEMT(high electron mobility transistor)器件大信号紧凑模型引入电磁场方程中,采用局部时间步进技术以消除非线性紧凑模型及多尺度网格对全局算法稳定性条件的限制,实现有源器件-无源电磁结构、多尺度粗细网格的高效自适应求解.通过数值仿真算例与实验测试及软件计算结果对比展示了本文所提方法准确性和高效性,可为先进大功率微波器件的高可靠研发提供理论基础与设计参考.