摘要：在英语项目化学习中,学生围绕主题进行探究,通过不同的任务完成个性化的作业。这些作业能够让学生体现自我价值,引发学生关注真实世界。通过对作业形式的探索,本文总结出采访调查型作业、手工制作型作业、汇报展示型作业等三类作业形式,就作业形式对学生产生的深远影响展开讨论,从而全面提升学生的英语学习素养。

摘要：设计意图经过春日的“小荷才露尖尖角”,夏至迎来“接天莲叶无穷碧,映日荷花别样红”的盛景。赏荷花、消溽暑、品荷花宴,是南方流传甚广的夏至风俗活动。教师以荷花为元素让幼儿进行绘画,用笔尖感受夏至节气文化。

摘要：建立在SOI衬底上的FinFET结构被认为是最具全面优势的非常规MOS器件结构.本文通过合理的设计将FinFET结构迁移到普通体硅衬底上,利用平面凹槽器件的特性解决了非绝缘衬底对器件短沟道效应的影响,同时获得了一些标准集成电路工艺上的改进空间.运用标准CMOS工艺实际制作的体硅CMOSFinFET器件获得了较好的性能结果并成功地集成到CMOS反相器和环形振荡器中.结构分析与实验结果证明了体硅CMOSFinFET在未来电路中的应用前景.

摘要：研究提高无刷直流电机(BLDCM)通用性的方法,基于电机和逆变器HIL建模的原理,设计硬件在环(HIL)实时仿真实验。采用标幺化建模方法,避免由于仿真电机的更换所造成的数据溢出;建立电机HIL模型,使用实物电机中的非理想反电势波形,模拟实物电机的输出;建立逆变器HIL模型,增加续流和关断过程,适用于多种运行状态;最后,搭建了电机参数实时发送上位机平台,方便电机参数的修改和实时加载,防止定点数重复计算,提高建模效率。将HIL平台与全实物实验平台进行了实验对比,结果表明,HIL实时平台能准确仿真出不同反电势波形的BLDCM在不同控制方式下的运行过程,在实时性、通用性和精度方面符合需求。

摘要：描述了一种用综合性方法设计的亚 5 0 nm自对准双栅 MOSFET,该结构能够在改进的主流 CMOS技术上实现 .在这种方法下 ,由于各种因素的影响 ,双栅器件的栅长、硅岛厚度呈现出不同的缩减限制 .同时 ,侧面绝缘层在器件漏电流和电路速度上表现出特有的宽度效应 .建立了关于这种效应的模型 ,并提供了相关的设计指导 .另外 ,还讨论了一种新型的沟道掺杂设计 ,命名为 SCD.利用 SCD的 DG器件能够在体反模式和阈值控制间取得较好的平衡 .最后 ,总结了制作一个 SADG

摘要：设计说明.本项目位于江苏省南京市玄武区玄武湖景区旁,总设计面积2.2hm^(2),是明城墙景观规划带中的重要一环。设计以“古新融合”为主题,从整体视角出发,将公园融入沿湖景观带,展现古城墙昔日风采,满足居民日常休闲新需求。设计过程中,结合网络平台开展调查,评估公众对该公园的使用评价和休闲需求类型,基于评估结果进行针对性改造设计。在整个改造提升方案中,结合场地现状,规划了公园主入口、儿童活动区和滨水观景区等。公园主入口设置明城墙文化地雕,为游人提供引导,增强历史趣味性和科普教育功能;儿童活动区考虑到公园使用者中低龄儿童占比较高的情况,设置适于低龄儿童攀爬的构筑物;在滨水观景区,设计亲水阶梯,形成可休憩、可观水的景观。

摘要：利用三维模拟软件Davinci对体硅FinFET器件进行了详细的模拟。模拟结果显示体硅FinFET器件能够有效的抑止短沟道效应,具有驱动电流大、散热好、成本低等优点。为了获得好的亚阈值特性,Fin的厚度要比较薄,同时Fin的高度不能太低,以保持足够的高度来抑止短沟道效应。沟道可以采用低掺杂或未掺杂设计,从而减少沟道内杂质对载流子的散射作用和杂质涨落效应对器件性能的影响。另外,为了获得合适的器件阈值电压,体硅FinFET器件应当采用功函数在中间带隙附近的材料做栅电极,同时采用适当的功函数调节方法来获得合适的阈值电压。

摘要：本文对VLSI中双层多晶硅结构的剖面及用于结构成形的干法腐蚀技术进行了研究,获得了优化的剖面结构.研究分析表明,多晶硅Ⅰ的侧墙越倾斜,则双层多晶硅结构越佳.改变刻蚀条件可以有效地调节横向对纵向的刻蚀速率比δ,满意地获得多晶硅Ⅰ侧墙倾角α为49°左右;多晶硅Ⅱ采用二步刻蚀工艺.结果既消除了3μm工艺中用各向异性的RIE刻蚀易出现的多晶硅Ⅱ沿多晶硅Ⅰ侧墙的残留造成的相邻字线短路现象,又保证了线宽的精确控制,对下层SiO_2只有轻微的侵蚀.为VLSI制造提供了适用的工艺结构设计和加工技术,成功地研制出了64K DRAM合格样品.

摘要：顾名思义,"园本课程"就是指以幼儿园之"本"为基础的课程或是在幼儿园之"本"的基础上建立起来的课程。园本课程是以法律法规及相关政策为指导,以幼儿园现实的环境和条件为背景,以幼儿现实的需要为出发点,以幼儿园教师为主体构建的课程,其课程开发的主体是园长、教师、课程专家、幼儿、家长、社区人员。

摘要：目的研究血管紧张素Ⅱ1型受体基因(AT1)单核苷酸多态性(SNP)与华东地区汉族人原发性高血压和冠心病的相关性。方法对AT1基因的启动子区、5′非翻译区、外显子及邻近内含子和3′非翻译区设计引物进行分段扩增,采用直接测序法在20个随机样本中检测AT1基因的SNP,选择所发现的SNP在213例单纯高血压、171例高血压合并冠心病和200例正常对照中进行基因分型,以期探讨AT1基因在原发性高血压和冠心病发病中的作用。结果共检出8个SNP,其中6个在启动子区,1个在编码区,1个在3′非翻译区,分别对SNP6(A-153G)、SNP7(T573C)和SNP8(A1166C)行基因分型,显示位于启动子-153G等位基因在原发性高血压合并冠心病组中的频率是17.8%,在对照组中是11.5%(P<0.05),而T573C和A1166C多态则未显示有统计学意义。结论血管紧张素Ⅱ1型受体基因启动子-153位A被G替代可能与华东汉族人原发性高血压患者合并冠心病相关。